这两款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分别提供30A和15A的较低电流性能，而去年推出的第一款650 V产品TDG650E60提供60A的电流。

TDG650E15B和TDG650E30B均为增强型硅上GaN功率晶体管，可实现大电流、高压击穿和高开关频率，同时为大功率应用提供非常低的结壳(junction-to-case)热阻。

氮化镓器件已经革新了其他行业的功率转换元件，现在以耐辐射的塑料封装推出，这种封装经过严格的可靠性和电气测试以确保关键任务的成功。

制造商:Panasonic产品种类:厚膜电阻器 - SMDRoHS: 封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel系列:电阻:510 Ohms功率额定值:250 mW (1/4 W)容差:1 %温度系数:100 PPM / C最小工作温度:- 55 C最大工作温度:+ 155 C电压额定值:150 V外壳代码 - in:0603外壳代码 - mm:1608应用:Automotive Grade特点:Anti-Surge Resistors资格:AEC-Q200高度:0.45 mm长度:1.6 mm产品:Thick Film Resistors High Reliability技术:Thick Film端接类型:SMD/SMT类型:Anti-Surge Resistor宽度:0.8 mm商标:Panasonic安装风格:PCB Mount产品类型:Thick Film Resistors5000子类别:Resistors单位重量:2 mg

通过提升ITS中CMOS图像传感器性能可为进一步推动城市数字化转型释放更多的价值。

在交通数字化转型进程中，面对着巨量的数据需求，交通监控管理、高速公路ETC及车辆监测等ITS应用需要准确清晰的影像数据作为智能识别运算的基础。

参考设计采用专利隔离技术用于隔离反馈。这项专利隔离技术称为Inde-Flux变压器技术.

Inde-Flux变压器（部件编号750318659）是Würth Elektronik eiSos利用该专利制造的第一款变压器，将作为Microchip 15W MCP1012离线参考设计的组件。

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