新款通过AEC-Q101认证的100 V p沟道TrenchFET® MOSFET---SQJ211ELP，用以提高汽车应用功率密度和能效。

日前发布的新款汽车级MOSFET与最接近的DPAK和D2PAK封装竞品器件相比，导通电阻分别降低26 %和46 %，占位面积分别减小50 %和76 %。

此外，作为p沟道MOSFET，SQJ211ELP可简化栅极驱动设计，无需配置n沟道器件所需电荷泵。 MOSFET采用无铅（Pb）封装、无卤素、符合RoHS标准，经过100 % Rg和UIS测试。

制造商:TXC Corporation产品种类:晶体RoHS: 封装 / 箱体:3.2 mm x 2.5 mm长度:3.2 mm宽度:2.5 mm系列:封装:Reel商标:TXC Corporation安装风格:SMD/SMT产品类型:Crystals3000子类别:Crystals单位重量:16 mg

TCE-11101封装在5 mm x 5 mm x 1 mm 28-管脚 LGA封装中.

可以直接准确地检测家居、汽车、物联网、医疗保健和其他应用中CO2浓度的TCE-11101小型化超低功耗MEMS平台。

TCE-11101引入了新技术，将TDK的传感器领先地位扩展到新的应用和解决方案中，作为新的SmartEnviroTM系列的一部分。

平台的体积小、功耗低，使所有形态的消费类和商业设备都不需要持续的墙式供电。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）