非隔离拓扑中增强模式GaN FET提供6.5V至18V宽电源电压范围
发布时间:2021/8/16 20:07:59 访问次数:268
高效地获取所需解决方案，以支持智能交通 (ITS)、联网车辆 (V2X、CV2X、RSU 4.1)、铁轨和隧道监控、移动安全、智慧城市和智慧农业等领域的物联网及其他任务关键型应用需求。
借助mSmart-box机箱解决方案，可自初次接洽起的数天内根据用户需求量身打造出采用IP67防护等级且符合EN60950-22标准的模块化概念。
机箱坚固耐用，集成了Gore® 阀门，并采用Sur Tec 650耐腐蚀涂层，100%达到 IP67 级防护。 可定制颜色、线缆长度等。
RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET，提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。该器件同时提供反相（INB）和同相（IN）输入,可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。
评估套件包括两个GaN Systems 650-V GaN E-mode晶体管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的电路，包括半桥栅极驱动器，隔离式电源和可选的散热器。
借助该演示板，设计人员可以使用通用母板（P / N：GS665MB-EVB）或他们自己的系统设计，评估任何基于半桥拓扑的GaN E模式性能。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
高效地获取所需解决方案，以支持智能交通 (ITS)、联网车辆 (V2X、CV2X、RSU 4.1)、铁轨和隧道监控、移动安全、智慧城市和智慧农业等领域的物联网及其他任务关键型应用需求。
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机箱坚固耐用，集成了Gore® 阀门，并采用Sur Tec 650耐腐蚀涂层，100%达到 IP67 级防护。 可定制颜色、线缆长度等。
RAA226110旨在驱动隔离和非隔离拓扑中的增强模式GaN FET，提供6.5V至18 V的宽电源电压范围。该器件同时提供反相（INB）和同相（IN）输入,可满足使用单个器件进行反相和同相栅极驱动的要求。
评估套件包括两个GaN Systems 650-V GaN E-mode晶体管（用于30A版本的GS66508B和用于60A版本的GS66516T）以及所有必要的电路，包括半桥栅极驱动器，隔离式电源和可选的散热器。
借助该演示板，设计人员可以使用通用母板（P / N：GS665MB-EVB）或他们自己的系统设计，评估任何基于半桥拓扑的GaN E模式性能。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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