GaN技术正在推进USB-PD适配器和智能手机充电器向快充方向发展。

意法半导体的MasterGaN器件可使这些充电器缩小体积80％，减重70％，而充电速度是普通硅基解决方案的三倍。

内置保护功能包括高低边欠压锁定(UVLO)、栅极驱动器互锁、专用关闭引脚和过热保护。9mm x 9mm x 1mm GQFN是为高压应用优化的封装，高低压焊盘之间的爬电距离超过2mm。

一个联合解决方案，该方案经过预先调校，可为开发人员节省长达三个月的调校工作。

多种产品选项

EGA2000系列提供两种波长选择：

850nm适用于需要高灵敏度的系统

每种波长选择还提供三种发射角配置：

超宽FoI——适用于机器人避障和人数统计应用

宽FoI——适用于机器视觉系统，例如物流系统中的体积测量

窄FoI——适用于轮廓测量等应用场景，支持远程测量

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）