散热和电气优势的DPAK封装的产品高性能3D NAND解决方案
发布时间:2021/8/14 8:57:18 访问次数:847
9款新的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。
新MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容，且在可靠性方面有着显著优势。
新的MJD系列双极性晶体管满足AEC-Q101汽车级器件和工业级器件标准，额定值为2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD41C /-Q和MJD42C /-Q）。MJD31CH-Q设计为高增益版本。
美光将176层NAND技术应用于UFS 3.1,克服存储瓶颈,使手机用户尽享 5G 高速通信。
高性能 3D NAND 解决方案将为荣耀手机用户在同时多应用使用，以及高速下载、存储等场景带来快捷流畅的使用体验。
荣耀全能旗舰Magic3系列将率先搭载美光推出业界首款 176 层 NAND 技术 UFS 3.1。
美光 176 层 UFS 3.1 解决方案相比上一代产品的顺序写入速度提升 75%，随机读取速度提升 70%，大幅提升应用性能。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
9款新的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。
新MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容，且在可靠性方面有着显著优势。
新的MJD系列双极性晶体管满足AEC-Q101汽车级器件和工业级器件标准，额定值为2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD41C /-Q和MJD42C /-Q）。MJD31CH-Q设计为高增益版本。
美光将176层NAND技术应用于UFS 3.1,克服存储瓶颈,使手机用户尽享 5G 高速通信。
高性能 3D NAND 解决方案将为荣耀手机用户在同时多应用使用，以及高速下载、存储等场景带来快捷流畅的使用体验。
荣耀全能旗舰Magic3系列将率先搭载美光推出业界首款 176 层 NAND 技术 UFS 3.1。
美光 176 层 UFS 3.1 解决方案相比上一代产品的顺序写入速度提升 75%，随机读取速度提升 70%，大幅提升应用性能。
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