散热和电气优势的DPAK封装的产品高性能3D NAND解决方案
发布时间:2021/8/14 8:57:18 访问次数:776
9款新的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。
新MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容，且在可靠性方面有着显著优势。
新的MJD系列双极性晶体管满足AEC-Q101汽车级器件和工业级器件标准，额定值为2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD41C /-Q和MJD42C /-Q）。MJD31CH-Q设计为高增益版本。
美光将176层NAND技术应用于UFS 3.1,克服存储瓶颈,使手机用户尽享 5G 高速通信。
高性能 3D NAND 解决方案将为荣耀手机用户在同时多应用使用，以及高速下载、存储等场景带来快捷流畅的使用体验。
荣耀全能旗舰Magic3系列将率先搭载美光推出业界首款 176 层 NAND 技术 UFS 3.1。
美光 176 层 UFS 3.1 解决方案相比上一代产品的顺序写入速度提升 75%，随机读取速度提升 70%，大幅提升应用性能。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
9款新的功率双极性晶体管，扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合，涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。
新MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容，且在可靠性方面有着显著优势。
新的MJD系列双极性晶体管满足AEC-Q101汽车级器件和工业级器件标准，额定值为2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V（MJD41C /-Q和MJD42C /-Q）。MJD31CH-Q设计为高增益版本。
美光将176层NAND技术应用于UFS 3.1,克服存储瓶颈,使手机用户尽享 5G 高速通信。
高性能 3D NAND 解决方案将为荣耀手机用户在同时多应用使用，以及高速下载、存储等场景带来快捷流畅的使用体验。
荣耀全能旗舰Magic3系列将率先搭载美光推出业界首款 176 层 NAND 技术 UFS 3.1。
美光 176 层 UFS 3.1 解决方案相比上一代产品的顺序写入速度提升 75%，随机读取速度提升 70%，大幅提升应用性能。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-1智能座舱监测系统以安全可靠的车规级品质保障行车安全性
- 5-1厚铜框应用使XPQR3004PB内沟道到外壳热阻降低到当前产品50%
- 5-1大电流加工对制备用于大面积成像和分析的截面样品特别有效
- 5-1对CT探测器中256个光电二极管输出进行电流数字转换
- 5-11.25mW每通道功耗最大限度地减少CT探测器自热降低热管理要求
- 5-1零电压开关非互补有源钳位能效高于传统准谐振反激式变换拓扑
- 5-1初级侧和次级侧电路之间电流隔离简化USB-PD电源适配器设计和组装
- 5-1QFN使制造更容易成本更低还意味着更简单的设计开发和验证
- 5-1高能效2.4GHz射频IP内核配有免版税的协议栈和专用软件工具
- 5-1外部天线实现射频输出功率和接收灵敏度完整滤波和阻抗匹配电路
- 5-1一个专用PMIC它嵌入了双模可配置降压稳压器和集成电池充电器
- 5-1产品的装配需求存在差异针对具体需求进行定制化的设计和开发
公网安备44030402000607
