650V CoolSiC™ Hybrid IGBT单管产品组合，具有650V阻断电压。

其常见应用包括：电动车辆充电设施、储能系统、光伏逆变器、不间断电源系统 (UPS)，以及服务器和电信用开关电源 (SMPS)。

由于续流SiC肖特基二极管与 IGBT 在共同封装中，在 dv/dt 和 di/dt 值几乎不变情况下，CoolSiC Hybrid IGBT能大幅降低开关损耗。

与标准的硅二极管解决方案相比，新产品可降低多达 60% 的 Eon和30%的Eoff。

制造商: Mini-Circuits

产品种类: 射频放大器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-89-4

类型: Gain Block Amplifiers

技术: GaAs InGaP

工作频率: 10 MHz to 12 GHz

P1dB - 压缩点: 5.1 dBm

增益: 7.1 dB

工作电源电压: 5 V

NF—噪声系数: 6.9 dB

OIP3 - 三阶截点: 14.9 dBm

工作电源电流: 52 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: GVA

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

商标: Mini-Circuits

通道数量: 1 Channel

输入返回损失: 6.3 dB

隔离分贝: 20.7 dB

Pd-功率耗散: 0.34 W

产品类型: RF Amplifier

工厂包装数量: 1000

子类别: Wireless & RF Integrated Circuits

测试频率: 12 GHz

单位重量: 1 g

产品系列可作为纯硅解决方案和高性能SiC MOSFET设计之间的另一种选择，与纯硅设计相比，Hybrid IGBT可提升电磁相容性和系统可靠性。

Kelvin Emitter封装的第四管脚可实现超低电感的栅极驱动控制回路，并降低总开关损耗。

导入650 V CoolSiC™ Hybrid IGBT单管在其UPS与组串式光伏逆变器的新平台设计中，从而提升系统效率，优化系统性能。

我们的创新来自于技术进步和客户的需求。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）