碳化硅(SiC)二极管产品组合进行扩充，新增1700 V级产品。

这些产品为电力电子系统设计人员提供了多种性能优势，包括接近于零的反向恢复电流、高浪涌保护能力和175°C的最大工作结温，因此它们非常适合需要提高效率、可靠性和简化热管理的应用。

LSIC2SD170Bxx 系列碳化硅肖特基二极管 采用TO-247-2L封装，可选择额定电流（10A、25A或50A)。

这些产品可支持设计出转换器中响应更快的开关功率电子设备，然后可以在相同的输出功率下让外形尺寸更加紧凑，或者在相同的体积下提供更高的功率。

制造商: Mini-Circuits

产品种类: 射频放大器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: MCLP-8

类型: General Purpose Amplifiers

技术: Si

工作频率: 30 MHz to 2.7 GHz

P1dB - 压缩点: 25.7 dBm

增益: 12.7 dB

工作电源电压: 11 V

NF—噪声系数: 5.4 dB

OIP3 - 三阶截点: 39.4 dBm

工作电源电流: 350 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: PHA

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

商标: Mini-Circuits

通道数量: 1 Channel

输入返回损失: 14.9 dB

隔离分贝: 23 dB

Pd-功率耗散: 5.8 W

产品类型: RF Amplifier

工厂包装数量: 1000

子类别: Wireless & RF Integrated Circuits

测试频率: 2.7 GHz

单位重量: 715.250 mg

EasyDUAL™ CoolSiC™ MOSFET模块升级为新型氮化铝(AIN) 陶瓷。

该器件采用半桥配置， EasyDUAL 1B封装的导通电阻（R DS(on)）为11 mΩ，EasyDUAL 2B封装的导通电阻（R DS(on)）为6 mΩ。

升级为高性能AIN后，该1200 V器件适合用于高功率密度应用，包括太阳能系统、不间断电源、辅助逆变器、储能系统和电动汽车充电桩等。

由于DCB材料的热导率更高，结到散热器的热阻（R thJH）最多可以降低40%。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）