新的可穿戴芯片组在CPU测试中比Exynos 9110快20%
发布时间:2021/8/13 18:58:44 访问次数:383
这款新的 Exynos 处理器采用了目前可穿戴设备领域中最小的封装 —— 扇出型面板级封装(FO-LP)。它包括 Exynos W920、电源管理芯片、LPDDR4 内存和 eMMC 存储在同一个封装中,以有效利用可穿戴设备内的物理空间。
三星声称,其新的可穿戴芯片组在 CPU 测试中比 Exynos 9110 快 20%,并提供高达快 10 倍的图形性能。Exynos W920 的 GPU 可以处理高达 qHD 分辨率(960 x 540 像素)的显示屏。
制造商: Mini-Circuits
产品种类: 射频放大器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MCLP-8
类型: Low Noise Amplifiers
技术: Si
工作频率: 500 MHz to 12 GHz
P1dB - 压缩点: 14 dBm
增益: 15.3 dB
工作电源电压: 6 V
NF—噪声系数: 3.1 dB
OIP3 - 三阶截点: 26.3 dBm
工作电源电流: 68 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: PMA2
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Mini-Circuits
通道数量: 1 Channel
输入返回损失: 9.8 dB
Pd-功率耗散: 0.7 W
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 1000
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
测试频率: 12 GHz

规范
功率容量:3W
标称中心频率:5370MHz
带宽 (BW):±470MHz
BW I插入损耗:0.55dB(最大值,+25°C时)
BW II插入损耗:0.65dB(最大值,-40°C至+85°C)
衰减(绝对值):14dB(最小值,2400MHz至2500MHz)
VSWR:1.6(最大值)
工作温度范围:-40°C至+85°C
占位面积为0.65mm x 0.50mm,最大厚度为0.3mm

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
这款新的 Exynos 处理器采用了目前可穿戴设备领域中最小的封装 —— 扇出型面板级封装(FO-LP)。它包括 Exynos W920、电源管理芯片、LPDDR4 内存和 eMMC 存储在同一个封装中,以有效利用可穿戴设备内的物理空间。
三星声称,其新的可穿戴芯片组在 CPU 测试中比 Exynos 9110 快 20%,并提供高达快 10 倍的图形性能。Exynos W920 的 GPU 可以处理高达 qHD 分辨率(960 x 540 像素)的显示屏。
制造商: Mini-Circuits
产品种类: 射频放大器
RoHS: 详细信息
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: MCLP-8
类型: Low Noise Amplifiers
技术: Si
工作频率: 500 MHz to 12 GHz
P1dB - 压缩点: 14 dBm
增益: 15.3 dB
工作电源电压: 6 V
NF—噪声系数: 3.1 dB
OIP3 - 三阶截点: 26.3 dBm
工作电源电流: 68 mA
最小工作温度: - 40 C
最大工作温度: + 85 C
系列: PMA2
封装: Cut Tape
封装: MouseReel
封装: Reel
商标: Mini-Circuits
通道数量: 1 Channel
输入返回损失: 9.8 dB
Pd-功率耗散: 0.7 W
产品类型: RF Amplifier
工厂包装数量: 1000
子类别: Wireless & RF Integrated Circuits
测试频率: 12 GHz

规范
功率容量:3W
标称中心频率:5370MHz
带宽 (BW):±470MHz
BW I插入损耗:0.55dB(最大值,+25°C时)
BW II插入损耗:0.65dB(最大值,-40°C至+85°C)
衰减(绝对值):14dB(最小值,2400MHz至2500MHz)
VSWR:1.6(最大值)
工作温度范围:-40°C至+85°C
占位面积为0.65mm x 0.50mm,最大厚度为0.3mm

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)