高度耐用Trench 9汽车级晶圆工艺技术额定电压40V
发布时间:2021/8/12 17:53:40 访问次数:347
4LS图像传感器提供10K和15K分辨率两种版本，内置四个红色/绿色/蓝色/透明通道，扫描速度高达120,000线/秒。
4LS系列为系统设计人员提供了满足各种应用需求所需的灵活性。四线中的每条线都可以独立控制并同时进行全彩色图像捕获。
摄像头制造商还可以实施4:1数字TDI（时间延迟积分），以在弱光条件下实现高图像质量，或执行高速物体检测。
在半桥结构中高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间的PCB连接会产生大量的寄生电感。但是，通过内部夹式连接，LFPAK56D半桥封装成功减少了60%的寄生电感。
新推出的LFPAK56D半桥MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
这两款产品都采用高度耐用的Trench 9汽车级晶圆工艺技术，额定电压为40 V，并在关键测试中通过了两倍汽车AEC-Q101规范的验证。
这两款器件的RDS(on)分别为4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
4LS图像传感器提供10K和15K分辨率两种版本，内置四个红色/绿色/蓝色/透明通道，扫描速度高达120,000线/秒。
4LS系列为系统设计人员提供了满足各种应用需求所需的灵活性。四线中的每条线都可以独立控制并同时进行全彩色图像捕获。
摄像头制造商还可以实施4:1数字TDI（时间延迟积分），以在弱光条件下实现高图像质量，或执行高速物体检测。
在半桥结构中高边MOSFET的源极与低边MOSFET的漏极之间的PCB连接会产生大量的寄生电感。但是，通过内部夹式连接，LFPAK56D半桥封装成功减少了60%的寄生电感。
新推出的LFPAK56D半桥MOSFET是BUK7V4R2-40H和BUK9V13-40H。
这两款产品都采用高度耐用的Trench 9汽车级晶圆工艺技术，额定电压为40 V，并在关键测试中通过了两倍汽车AEC-Q101规范的验证。
这两款器件的RDS(on)分别为4.2 mOhm (BUK7V4R2)和13 mOhm (BUK9V13)。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
相关技术资料- 5-8集成SOC 驱动芯片 GD30DRE508 系列
- 5-8ARM Cortex-M7 600MHz 内核GD3
- 5-8存储、MCU 及模拟芯片应用前景分析
- 5-8高倍率磷酸铁锂电池技术发展趋势
- 5-8模块化多电平架构（MMC）应用参数配置
- 5-8构网型变流器核心技术及应用探究
- 5-7储能逆变、变频器、伺服电机及光通信应用场景
- 5-7第二代0.7微米5000万像素CIS GC50E1
- 5-7PACK、储能系统集成、逆变器及储能解读
- 5-7单帧高动态 DAG HDR 技术单芯片高像素CIS架
- 5-7第四代超薄叠片工艺与创新三维集流技术探究
- 5-7行业技术标杆Mr.Big系列600Ah+储能电芯
公网安备44030402000607
