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散热条件下保证产品性能并且在设备外壳温度100℃时不会降额

发布时间:2021/8/12 8:19:03 访问次数:848

新转换器主要针对电信应用,其输入电压范围为36V至75V,符合欧洲电信标准ETS 300 132-2对-48Vdc和-60Vdc系统中正常输入电压范围的要求。

其在12V输出电压下可提供高达8.3A的输出电流,从而可提供100W的输出功率,并且输出电压可实现10%的微调。其输入至输出隔离电压为2250V。

该转换器提供可选的底板,其主要通过设备外壳来实现传导散热。在这种散热条件下可以保证产品性能,并且在设备外壳温度100℃时不会降额。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 缓冲器和线路驱动器

RoHS:  详细信息

输入线路数量: 20 Input

输出线路数量: 20 Output

极性: Non-Inverting

高电平输出电流: - 32 mA

低电平输出电流: 64 mA

静态电流: 5 uA

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 4.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-56

封装: Reel

功能: Buffer/Line Driver

高度: 1.15 mm

长度: 14 mm

工作温度范围: - 40 C to + 85 C

输出类型: 3-State

系列: CY74FCT16827T

技术: CMOS

宽度: 6.1 mm

商标: Texas Instruments

逻辑系列: FCT

逻辑类型: CMOS

通道数量: 20

电源电流—最大值: 500 uA

输入信号类型: Single-Ended

工作电源电压: 2 V to 5 V

Pd-功率耗散: 1 W

产品类型: Buffers & Line Drivers

传播延迟时间: 10 ns

工厂包装数量: 2000

子类别: Logic ICs

单位重量: 252.800 mg

集成多个器件于单个芯片上的好处是易于设计、布局和组装,并且节省占板面积、提高效率和降低成本。该系列的产品将推动在更广泛的最终用户应用中,采用ToF技术的激光雷达解决方案能够更快被采纳和得以普及。

我们的氮化镓集成电路技术的最新进展有望改变飞行时间激光雷达系统的设计方法。

在单个芯片上集成氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和驱动器,可产生功能强大、速度超快的IC,并且缩小系统的尺寸和降低成本,从而在消费类应用中得以普及。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



新转换器主要针对电信应用,其输入电压范围为36V至75V,符合欧洲电信标准ETS 300 132-2对-48Vdc和-60Vdc系统中正常输入电压范围的要求。

其在12V输出电压下可提供高达8.3A的输出电流,从而可提供100W的输出功率,并且输出电压可实现10%的微调。其输入至输出隔离电压为2250V。

该转换器提供可选的底板,其主要通过设备外壳来实现传导散热。在这种散热条件下可以保证产品性能,并且在设备外壳温度100℃时不会降额。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 缓冲器和线路驱动器

RoHS:  详细信息

输入线路数量: 20 Input

输出线路数量: 20 Output

极性: Non-Inverting

高电平输出电流: - 32 mA

低电平输出电流: 64 mA

静态电流: 5 uA

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 4.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-56

封装: Reel

功能: Buffer/Line Driver

高度: 1.15 mm

长度: 14 mm

工作温度范围: - 40 C to + 85 C

输出类型: 3-State

系列: CY74FCT16827T

技术: CMOS

宽度: 6.1 mm

商标: Texas Instruments

逻辑系列: FCT

逻辑类型: CMOS

通道数量: 20

电源电流—最大值: 500 uA

输入信号类型: Single-Ended

工作电源电压: 2 V to 5 V

Pd-功率耗散: 1 W

产品类型: Buffers & Line Drivers

传播延迟时间: 10 ns

工厂包装数量: 2000

子类别: Logic ICs

单位重量: 252.800 mg

集成多个器件于单个芯片上的好处是易于设计、布局和组装,并且节省占板面积、提高效率和降低成本。该系列的产品将推动在更广泛的最终用户应用中,采用ToF技术的激光雷达解决方案能够更快被采纳和得以普及。

我们的氮化镓集成电路技术的最新进展有望改变飞行时间激光雷达系统的设计方法。

在单个芯片上集成氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)和驱动器,可产生功能强大、速度超快的IC,并且缩小系统的尺寸和降低成本,从而在消费类应用中得以普及。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)



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