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3.3V逻辑电路来控制能够在超过100 MHz的超高频率

发布时间:2021/8/12 8:16:54 访问次数:443

氮化镓(GaN)集成电路(IC)系列,实现性能更高、更小巧且采用飞行时间(ToF)技术的激光雷达应用,包括机器人、无人机、3D传感器和自动驾驶汽车等应用。

EPC21601采用3.3 V逻辑电路来控制,能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下,调制并实现高达10 A的激光驱动电流。

由于外形小巧且集成了多个功能,因此与采用等效的多芯片、分立器件的解决方案相比,其占板面积小36%。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 总线收发器

RoHS:  详细信息

逻辑系列: FCT

输入电平: TTL

输出电平: TTL

输出类型: 3-State

高电平输出电流: - 24 mA

低电平输出电流: 24 mA

传播延迟时间: 5.1 ns

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 4.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装 / 箱体: SSOP-56

封装: Tube

功能: 16-Bit Latched Transceiver

高度: 2.59 mm

长度: 18.41 mm

电路数量: 2

工作温度范围: - 40 C to + 85 C

产品: Registered Transceiver

静态电流: 5 uA

系列: CY74FCT162543T

技术: CMOS

宽度: 7.49 mm

商标: Texas Instruments

安装风格: SMD/SMT

通道数量: 16

电源电流—最大值: 500 uA

工作电源电压: 5 V

Pd-功率耗散: 1 W

极性: Non-Inverting

产品类型: Bus Transceivers

工厂包装数量: 20

子类别: Logic ICs

单位重量: 694.800 mg


应用

用于轨道车辆的逆变器和转换器

可再生能源发电系统

工业电机控制设备

特性

漏源额定电压:VDSS=3300V

漏极额定电流:ID=800A双通道

宽通道温度范围:Tch=175℃

低损耗:

Eon=250mJ(典型值)

Eoff=240mJ(典型值)

VDS(on)sense=1.6V(典型值)

低杂散电感:Ls=12nH(典型值)

高功率密度的小型iXPLV封装


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

氮化镓(GaN)集成电路(IC)系列,实现性能更高、更小巧且采用飞行时间(ToF)技术的激光雷达应用,包括机器人、无人机、3D传感器和自动驾驶汽车等应用。

EPC21601采用3.3 V逻辑电路来控制,能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下,调制并实现高达10 A的激光驱动电流。

由于外形小巧且集成了多个功能,因此与采用等效的多芯片、分立器件的解决方案相比,其占板面积小36%。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 总线收发器

RoHS:  详细信息

逻辑系列: FCT

输入电平: TTL

输出电平: TTL

输出类型: 3-State

高电平输出电流: - 24 mA

低电平输出电流: 24 mA

传播延迟时间: 5.1 ns

电源电压-最大: 5.5 V

电源电压-最小: 4.5 V

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

封装 / 箱体: SSOP-56

封装: Tube

功能: 16-Bit Latched Transceiver

高度: 2.59 mm

长度: 18.41 mm

电路数量: 2

工作温度范围: - 40 C to + 85 C

产品: Registered Transceiver

静态电流: 5 uA

系列: CY74FCT162543T

技术: CMOS

宽度: 7.49 mm

商标: Texas Instruments

安装风格: SMD/SMT

通道数量: 16

电源电流—最大值: 500 uA

工作电源电压: 5 V

Pd-功率耗散: 1 W

极性: Non-Inverting

产品类型: Bus Transceivers

工厂包装数量: 20

子类别: Logic ICs

单位重量: 694.800 mg


应用

用于轨道车辆的逆变器和转换器

可再生能源发电系统

工业电机控制设备

特性

漏源额定电压:VDSS=3300V

漏极额定电流:ID=800A双通道

宽通道温度范围:Tch=175℃

低损耗:

Eon=250mJ(典型值)

Eoff=240mJ(典型值)

VDS(on)sense=1.6V(典型值)

低杂散电感:Ls=12nH(典型值)

高功率密度的小型iXPLV封装


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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