三星半导体发布为中国数据中心客户打造的新款高性能固态硬盘

PM9A3 U.2支持PCIe 4.0，是三星半导体专为中国数据中心客户打造，此举彰显了三星半导体计划进一步加强与中国企业合作的决心。

PM9A3 U.2使用三星第六代3D闪存（V-NAND）技术，基于NVMe协议，完全符合开放计算项目（OCP）NVMe 云端固态硬盘规范，并能根据数据中心需求，在性能、电源效率、可靠性、安全性等方面，提供高级别的解决方案。  

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: N

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 18 A

Rds On-漏源导通电阻: 170 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 40 W

通道模式: Enhancement

封装: Tube

配置: Single

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

系列: BTS113

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 40 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 55 ns

工厂包装数量: 500

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 45 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: SP000011187 BTS113ANKSA1

单位重量: 2 g

使用寿命计算工具可基于给定的负载条件计算元件的使用寿命，从而帮助工业设计人员选择可满足严苛应用要求的解决方案。

采用紧凑凝胶封装（Gel package）的精确传感器，适用于可穿戴设备、消费类和工业应用.

该固件还实现了一个虚拟通信端口，用于访问内部参数，读取计量数据，修改内部配置和校准电路板。完全指定，经过高达 160°C 结温测试.

坚固的封装设计提供高水平保护，防止水和其他污染物的侵入.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）