无磁滞现象特殊的传感器概念可捕获集成的初级导体产生的磁场，从而省去铁磁集中器，可实现更高密度的电力电子设备。

这两款传感器带有具备独立输出的双重片上过电流检测，省去外部过电流保护，从而减少了物料清单(BoM)。SOIC-8的标称隔离电压为2.4kVRMS，SOIC-16则为4.8kVRMS。

这些传感器适用于汽车和工业应用，例如车载充电器(OBC) 、DC / DC转换器、小型电驱动器以及电源等。它们的300kHz带宽预设用于低于50A eff的功率转换应用。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.5 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 14 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 17 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 39 ns

典型接通延迟时间: 25 ns

零件号别名: SP000260848 IPB8N4S33XT IPB80N04S303ATMA1

单位重量: 4 g

新的转接头/耦合器允许高速传输，利用L-com诺通独特的ECF法兰设计，USB 3.0线缆可有效穿过面板或接线盒进行连接。

借助Microchip的Agileswitch栅极驱动器和高性能SiC功率模块，可以让开发人员无需再对功率模块检验后再花费时间开发自己的栅极驱动器，从而将开发周期缩短数月。

Microchip的栅极驱动器工具包包括SP6LI模块、栅极驱动器板、安装硬件、编程器、电缆和ICT的链接，使开发人员能够立即开始进行双脉冲测试。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）