集成式电流传感器MLX91220和MLX91221，用于通过模拟接口进行AC和DC测量，是具有0-50A范围和双OCD(过电流检测)功能的隔离式集成霍尔效应电流传感器。

这种多合一解决方案理想地结合了小尺寸、低阻抗、高带宽和隔离特性。

这些传感器的集成导体的电阻损耗特别低：SOIC-8为0.9mΩ，SOIC-16则为0.75mΩ。

根据差分测量原理，不需要对杂散场进行屏蔽。通过结合内部和外部监控机制，确保优化双重片上过电流检测。内部OCD阈值的响应时间仅为2μs，外部响应时间为10μs。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 5.8 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 36 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 100 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS-T

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 10 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: IPB8N4S36XT SP000254822 IPB80N04S306ATMA1

单位重量: 4 g

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）