DDR5的产品发布，涉及两款全新架构产品原型，分别是1Rank x8和2Rank x8标准型PC Unbuffered DIMM 288PIN On-die-ECC。相较于DDR4，DDR5在功能和性能上都得到了显著提升。

Longsys DRAM研发经过多年的潜心积累，在DDR5新一代产品上率先开展测试技术投入，此次测试特别选取了部分测试数据首次面向公众开放。

Intel AlderLake-S ADP-S CRB开发板，搭配Longsys DDR5 32GB 4800内存模组，并配置Windows 10 Pro x64操作系统，分别通过鲁大师和AIDA64两个熟知的软件展示DDR5的真实数据。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 开关稳压器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: WSON-10

拓扑结构: Boost, Buck

输出电压: 1.8 V to 5 V

输出电流: 400 mA

输出端数量: 1 Output

最大输入电压: 5.5 V

最小输入电压: 1.8 V

静态电流: 1 uA

开关频率: Adjustable

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

系列: TPS63900

封装: Cut Tape

封装: Reel

商标: Texas Instruments

关闭: Shutdown

产品类型: Switching Voltage Regulators

工厂包装数量: 3000

子类别: PMIC - Power Management ICs

电源电压-最小: 1.8 V

新一代电感耦合等离子体（ICP）刻蚀设备Primo Twin-Star®，用于IC器件前道和后道制程导电/电介质膜的刻蚀应用。

单台反应器的电感耦合等离子体（ICP）刻蚀技术和双台反应器的Primo平台，Primo Twin-Star®为电介质前道/后道制程、多晶硅刻蚀、DTI和BSI刻蚀等提供了高性价比的刻蚀解决方案。

DDR5 SDRAM内存标准规范后,DDR5新技术应用受到业内的关注以及专业领域的探索。

紧跟存储技术发展前沿，为了满足行业的专业人士以及广大用户对未来产品技术发展的期望，进而为存储行业应用的未来提供更多可能性，在今天正式发布Longsys DDR5内存模组产品（ES1）。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）