SiC8xx功率模块输入电压为4.5 V至21 V（如表中所示），开关频率高达2 MHz。故障保护功能包括高边MOSFET短路和过流报警、过热保护和欠压锁定（UVLO）。

SiC8xx系列支持3.3 V和5 V 三态PWM逻辑电平，兼容各种PWM控制器。

从而有助于提高Intel、Advanced Micro Devices, Inc.和 Nvidia Corporation等公司大电流处理器和片上系统（SoC）性能，改进热管理。

器件适用于同步降压转换器、CUP和GPU的多相VRD、存储器以及DC/DC VR模块。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:50 V Id-连续漏极电流:130 mA Rds On-漏源导通电阻:10 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:2 V Qg-栅极电荷:280 pC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:300 mW 通道模式:Enhancement 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 晶体管类型:1 P-Channel 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:0.05 S 产品类型:MOSFET 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:18 ns 典型接通延迟时间:10 ns 单位重量:8 mg

近年来，DMS行业发展势头强劲。在商用车领域，受国内政策推动，DMS配置率正在高速增长.

在个人乘用车领域，随着对疲劳/分心导致的交通事故问题日益重视，用户对车载产品的功能性，包括ADAS（前车预警）、DMS（驾驶员疲劳检测）、BSD（盲区检测算法）等的搭载需求正不断提高。

目前市场中不少车载视觉产品存在录像性能不佳、AI功能执行准确性低、清晰度差、录制时间短等问题，难以满足企业及个人车主的需求。

RV1126基于车载应用，全面升级五大技术优势，让RV1126车载视觉产品展现出更强的竞争力。

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