功率MOSFET和先进的驱动IC静态电流和最小方案尺寸优势
发布时间:2021/8/9 22:27:33 访问次数:321
MAX17227A 2A nanoPower boost (升压)转换器、MAX172911A高压boost转换器和MAX38911 500mA LDO在所有竞争方案中均提供最低静态电流，提高系统效率并延长电池寿命。
下一代IoT系统要求从小尺寸电池获得较大的电流驱动，以支持机器学习、人工智能等高级特性。
Maxim基础模拟产品线中的三款新型高效电源IC具有业界领先的最低静态电流和最小方案尺寸优势，有助于缓解这种两难的选择。
器件能够产生高达2A的开关电流，是最接近的竞争方案的两倍。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:6.6 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-106-2 Pd-功率耗散:1 W 电压容差:6 % 电压温度系数:11.8 mV/C Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:40 mA 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.9 mm 长度:4.5 mm 端接类型:SMD/SMT 宽度:2.6 mm 商标:ROHM Semiconductor Ir - 反向电流 :10 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量1500 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:PTZ15B 单位重量:120 mg
功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效，器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术，这一技术确立行业性能基准，显著降低开关和传导损耗。
SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式，提高全负载范围的效率。
采用电感器DCR监控功耗的解决方案，电流报告精度为7 %，而SiC8xx系列器件采用低边MOSFET进行检测，精度误差小于3 %。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢） MAX17227A 2A nanoPower boost (升压)转换器、MAX172911A高压boost转换器和MAX38911 500mA LDO在所有竞争方案中均提供最低静态电流，提高系统效率并延长电池寿命。
下一代IoT系统要求从小尺寸电池获得较大的电流驱动，以支持机器学习、人工智能等高级特性。
Maxim基础模拟产品线中的三款新型高效电源IC具有业界领先的最低静态电流和最小方案尺寸优势，有助于缓解这种两难的选择。
器件能够产生高达2A的开关电流，是最接近的竞争方案的两倍。
制造商:ROHM Semiconductor 产品种类:稳压二极管 Vz - 齐纳电压:6.6 V 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOD-106-2 Pd-功率耗散:1 W 电压容差:6 % 电压温度系数:11.8 mV/C Zz - 齐纳阻抗:10 Ohms 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 配置:Single 测试电流:40 mA 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.9 mm 长度:4.5 mm 端接类型:SMD/SMT 宽度:2.6 mm 商标:ROHM Semiconductor Ir - 反向电流 :10 uA 产品类型:Zener Diodes 工厂包装数量1500 子类别:Diodes & Rectifiers 零件号别名:PTZ15B 单位重量:120 mg
功率模块含有功率MOSFET和先进的驱动IC。为提高能效，器件内部MOSFET采用先进的TrenchFET® Gen IV技术，这一技术确立行业性能基准，显著降低开关和传导损耗。
SiC8xx智能功率模块各种应用条件下峰值能效可达93 %以上。轻载时可启用二极管仿真模式，提高全负载范围的效率。
采用电感器DCR监控功耗的解决方案，电流报告精度为7 %，而SiC8xx系列器件采用低边MOSFET进行检测，精度误差小于3 %。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢） 
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