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传统FSI和BSI技术开拓全新技术道路提高功率密度和能效

发布时间:2021/8/8 8:31:04 访问次数:644

新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。

SQJA81EP 10 V条件下优异的栅极电荷仅为52 nC,减少栅极驱动损耗,栅极电荷与导通电阻乘积,即用于功率转换应用的MOSFET优值系数(FOM)达到业界出色水平。

MOSFET提高了功率密度,从而减少需要并联的元器件数量,节省PCB空间。

制造商:Texas Instruments产品种类:计数器移位寄存器RoHS: 计数顺序:Serial to Serial/Parallel电路数量:4位数:8 bit封装 / 箱体:SOP-16逻辑系列:74HC逻辑类型:CMOS输入线路数量:5 / 10输出类型:3-State传播延迟时间:200 ns, 40 ns, 34 ns电源电压-最大:6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tube功能:Tri-State 8-Bit工作温度范围:- 40 C to + 85 C系列:宽度:3.91 mm商标:Texas Instruments安装风格:SMD/SMT输出线路数量:10工作电源电压:2 V to 6 V产品类型:Counter Shift Registers40子类别:Logic ICs单位重量:141.700 mg

在传统的FSI和BSI技术之外开拓全新的技术道路,发布了基于其创新设计架构的第一代DSI像素技术,该技术相较主流FSI技术拥有更高的灵敏度与信噪比。

新一代DSI-2技术,相较前代技术产品在感光度及色彩表现力等性能上再度提升,同时思特威再次在DSI-2技术开发中融合了创新的像素工艺设计。

而在日间光线充足的应用场景,SC233A与SC223A凭借思特威特有的PixGainTM技术,满阱电子提升超过2倍,有效增加了日间成像的动态范围及最大信噪比。


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

新型Vishay Siliconix SQJA81EP导通电阻达到80 V p沟道器件优异水平,可提高汽车应用功率密度和能效。SQJA81EP采用欧翼引线结构5.13 mm x 6.15 mm PowerPAK® SO-8L小型单体封装,10V条件下最大导通电阻仅为17.3 mW /典型值为14.3 mW。

SQJA81EP 10 V条件下优异的栅极电荷仅为52 nC,减少栅极驱动损耗,栅极电荷与导通电阻乘积,即用于功率转换应用的MOSFET优值系数(FOM)达到业界出色水平。

MOSFET提高了功率密度,从而减少需要并联的元器件数量,节省PCB空间。

制造商:Texas Instruments产品种类:计数器移位寄存器RoHS: 计数顺序:Serial to Serial/Parallel电路数量:4位数:8 bit封装 / 箱体:SOP-16逻辑系列:74HC逻辑类型:CMOS输入线路数量:5 / 10输出类型:3-State传播延迟时间:200 ns, 40 ns, 34 ns电源电压-最大:6 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C封装:Tube功能:Tri-State 8-Bit工作温度范围:- 40 C to + 85 C系列:宽度:3.91 mm商标:Texas Instruments安装风格:SMD/SMT输出线路数量:10工作电源电压:2 V to 6 V产品类型:Counter Shift Registers40子类别:Logic ICs单位重量:141.700 mg

在传统的FSI和BSI技术之外开拓全新的技术道路,发布了基于其创新设计架构的第一代DSI像素技术,该技术相较主流FSI技术拥有更高的灵敏度与信噪比。

新一代DSI-2技术,相较前代技术产品在感光度及色彩表现力等性能上再度提升,同时思特威再次在DSI-2技术开发中融合了创新的像素工艺设计。

而在日间光线充足的应用场景,SC233A与SC223A凭借思特威特有的PixGainTM技术,满阱电子提升超过2倍,有效增加了日间成像的动态范围及最大信噪比。


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