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48V输入降压转换器电路将AS6031超声波流量传感器迅速集成

发布时间:2021/8/7 23:03:28 访问次数:217

评估板和评估软件的配套使用为用户构建了一个便捷的平台,便于将AS6031或AS6040超声波流量传感器迅速集成至他们的测量装置中。

这将节省系统配置时间,从而可以更专注于在流量和环境温度范围内应用特性的完善。

AS6040和AS6031超声波流量传感器集成了32位CPU内核,包括驱动外部换能器所需的所有功能,可将超声波飞行时间测量值转换为流量计算。

这些传感器以其低功耗、高精度和高灵敏度而著称。

制造商:Sharp Microelectronics产品种类:光学开关(反射型,光电IC输出)RoHS: 感应距离:2 mm to 22 mm最小工作温度:- 10 C最大工作温度:+ 70 C高电平输入电压:4.5 V低电平输出电压:0.4 V低电平输出电流:16 mA高度:8 mm长度:39.8 mm输出类型:Pull Up, Inverter输出电压:30 V感应方式:Reflective波长:950 nm宽度:9 mm商标:Sharp Microelectronics安装风格:SMD/SMT通道数量:1 Channel下降时间:1 ms高电平输出电流:50 mAIf - 正向电流:30 mA工作电源电压:4.75 V to 5.25 V产品类型:Optical Switches, Reflective, Photo IC Output上升时间:1 ms100子类别:Optical Switches单位重量:3.293 g

数据中心和基站等的48V输入降压转换器电路 基站功率放大器单元的升压转换器电路 D类音频放大器 LiDAR驱动电路、便携式设备的无线充电电路.

栅极-源极间额定电压(栅极耐压),可以在栅极和源极之间施加的最大电压。

GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料硅相比,具有更优异的物理性能,目前利用其高频特性的应用已经开始增加。

HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。

 

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

评估板和评估软件的配套使用为用户构建了一个便捷的平台,便于将AS6031或AS6040超声波流量传感器迅速集成至他们的测量装置中。

这将节省系统配置时间,从而可以更专注于在流量和环境温度范围内应用特性的完善。

AS6040和AS6031超声波流量传感器集成了32位CPU内核,包括驱动外部换能器所需的所有功能,可将超声波飞行时间测量值转换为流量计算。

这些传感器以其低功耗、高精度和高灵敏度而著称。

制造商:Sharp Microelectronics产品种类:光学开关(反射型,光电IC输出)RoHS: 感应距离:2 mm to 22 mm最小工作温度:- 10 C最大工作温度:+ 70 C高电平输入电压:4.5 V低电平输出电压:0.4 V低电平输出电流:16 mA高度:8 mm长度:39.8 mm输出类型:Pull Up, Inverter输出电压:30 V感应方式:Reflective波长:950 nm宽度:9 mm商标:Sharp Microelectronics安装风格:SMD/SMT通道数量:1 Channel下降时间:1 ms高电平输出电流:50 mAIf - 正向电流:30 mA工作电源电压:4.75 V to 5.25 V产品类型:Optical Switches, Reflective, Photo IC Output上升时间:1 ms100子类别:Optical Switches单位重量:3.293 g

数据中心和基站等的48V输入降压转换器电路 基站功率放大器单元的升压转换器电路 D类音频放大器 LiDAR驱动电路、便携式设备的无线充电电路.

栅极-源极间额定电压(栅极耐压),可以在栅极和源极之间施加的最大电压。

GaN(氮化镓)是一种用于新一代功率元器件的化合物半导体材料。与普通的半导体材料硅相比,具有更优异的物理性能,目前利用其高频特性的应用已经开始增加。

HEMT是High Electron Mobility Transistor(高电子迁移率晶体管)的英文首字母缩写。

 

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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