ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。

全新款FLIR GF77是一款突破性的非制冷型光学气体成像红外热像仪，可更换镜头检测多种气体。

在这种背景下，ROHM利用自有的结构，成功地将栅极-源极间额定电压从常规的6V提高到了8V，这将有助于提高采用高效率的GaN器件的电源电路的设计裕度和可靠性。

在明亮的阳光直射条件下，可切换至取景器模式，确保获得最佳效果。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:55 V Id-连续漏极电流:4.7 A Rds On-漏源导通电阻:56 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:24 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:2 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 高度:1.75 mm 长度:4.9 mm 晶体管类型:2 N-Channel 宽度:3.9 mm 商标:Infineon / IR 正向跨导 - 最小值:7.9 S 下降时间:13 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:3.2 ns 工厂包装数量4000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:32 ns 典型接通延迟时间:8.3 ns 单位重量:540 mg

ADAQ23875采用Analog Devices的iPassives®技术，还集成了具有出色匹配和漂移特性的关键无源元件，通过优化性能可最大程度地减少与温度有关的误差源。

ADC驱动级快速稳定、全差分或单端至差分输入、无延迟SAR ADC等特性，为高通道数多路复用信号链架构和控制环路应用提供了独特的解决方案。

ADAQ23875采用9 mm×9 mm封装，是分立式等效器件的四分之一，可进一步减小仪器仪表的外形尺寸，而不影响其性能。

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