ASB75系列具有基板冷却功能，因此能够在密封金属外壳中使用被动冷壁冷却将热量传递到设备外部。

高达90%的效率水平可最大限度地减少不必要的热量产生，并在一个仅为2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工业标准半砖封装内实现20W/in3的出色功率密度。

该系列有五种型号可选，提供12.0V、15.0V、24.0V、36.0V或48.0V的单输出电压。

ASB75系列的空载电流损耗功率小于150mW，大大减少了终端设备的备用电源需求，使其能够满足具有挑战性的现代效率标准。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-223-4 晶体管极性:NPN 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:25 V 集电极—基极电压 VCBO:80 V 发射极 - 基极电压 VEBO:5 V 集电极—射极饱和电压:330 mV 最大直流电集电极电流:20 A Pd-功率耗散:2.5 W 增益带宽产品fT:180 MHz 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 直流电流增益 hFE 最大值:280 高度:1.65 mm 长度:6.7 mm 技术:Si 宽度:3.7 mm 商标:Diodes Incorporated 集电极连续电流:5 A 直流集电极/Base Gain hfe Min:40 at 20 A, 2 V 产品类型:BJTs - Bipolar Transistors 工厂包装数量1000 子类别:Transistors 单位重量:112 mg

150V耐压GaN HEMT*1(以下称“GaN器件”）的、高达8V的栅极耐压（栅极-源极间额定电压）*2技术。

近年来，在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，功率转换效率的提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题之一，而这就要求功率元器件的进一步发展与进步。

此外，还配合本技术开发出一种专用封装，采用这种封装不仅可以通过更低的寄生电感更好地发挥出器件的性能，还使产品更易于在电路板上安装并具有更出色散热性，从而可以使现有硅器件的替换和安装工序中的操作更轻松。

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