速度对于许多在线应用场景大有裨益，特别是当X、Y、Z轴的尺寸偏差对于产品质量有着决定性影响时，能够在保证检测可靠性的同时整体提升生产率。

1GigE接口（Z-Trak2 V系列）或更快的2.5甚至5 GigE技术的加入，保证了庞大的数据能够及时地传送给各相关加工单元。

通过引入Z-Trak2，Teledyne Imaging向世界正式宣布：高速在线3D应用的5GigE 3D轮廓传感器即将迎来一个新的时代。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 55 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 6.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V

Qg-栅极电荷: 130 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 210 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 31 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 35 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 28 ns

典型接通延迟时间: 18 ns

零件号别名: IPB80N06S2L-07 SP001067890

单位重量: 4 g

产品尺寸为3.3”x6.2”(85 x 157mm), 高度42.5mm。目前共提供7个型号,额定电压分别为12V, 19V, 24V, 28V, 32V, 36V和48V。

对地漏电流小于200uA, 接触漏电流小于50μA,高达5,000m工作海拔。

全电压范围85 - 265Vac输入,效率高达95%。内置5V 1.5A辅助电源、遥控开关、远端补偿、Power Good信号(同时监测输入与输出状态)与输出电压调节电位器。

效率高达95%,低风扇噪音,内置静音风扇冷却600W.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）