除了尺寸，新系列还具有比竞品明显更好的电气性能,相比于薄膜或金属复合技术，CLT32系列的高频交流电流损失明显要低得多。

金属复合电感器在2 A纹波电流下的功率损耗为0.28 W，而新型TDK电感器的值仅为0.18 W。

此外，凭借高达10 MHz的宽频率范围，这种坚固耐用的电感器还非常适合GaN半导体应用。

CLT32系列功率电感器的尺寸仅为3.2 x 2.5 mm2，高度仅为2.5 mm，兼具优异的电气特性，堪称小型化领域的新标杆。

制造商: ON Semiconductor

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: Power-56-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 19.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 100 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

商标名: PowerTrench

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 6 mm

系列: FDMS039N08B

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 5 mm

商标: ON Semiconductor / Fairchild

产品类型: MOSFET

工厂包装数量: 3000

子类别: MOSFETs

单位重量: 68.100 mg

TAD4140是一个带有全冗余的TMR角度传感器新产品,TSSOP16封装,数字输出.用于汽车和工业应用.

TDK数字角度传感器产品具有各种内部诊断特性，让TAD2141和TAD4140适合有功能安全要求的汽车应用，TAD4140在系统层面符合汽车功能安全完整性等级D（ASIL D），而且因其拥有电隔离信号，高信号可用性以及高诊断覆盖率，TAD4140也能支持故障工作模式。

数字输出支持霍尔仿真（UVW），12位ENC，增量编码器（ABZ），脉宽调制（PWM）和串行外设接口（SPI）。

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