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Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路

发布时间:2021/8/5 18:42:55 访问次数:248

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装,对于给定RDS(on)值,芯片尺寸缩小36%,具有更好的稳定性和效率。

钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的,满载条件下要求达到>91%的效率(半载条件下>96%)。

对于2 kW及更高功率的服务器电源应用,使用传统硅器件来实现这种性能水平,电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路,使用更少的器件,并能减少尺寸和系统成本。

制造商:Hirose Electric产品种类:汽车连接器RoHS: 产品:Housings附件类型:-位置数量:8 Position节距:2 mm型式:Plug (Male)安装风格:Cable Mount / Free Hanging端接类型:Crimp触点电镀:Tin系列:电流额定值:2 A电压额定值:250 VAC商标:Hirose Connector触点材料:Brass触点类型:Without Socket Contacts绝缘电阻:100 MOhms最大工作温度:+ 125 C最小工作温度:- 40 C产品类型:Automotive Connectors385子类别:Automotive Connectors单位重量:1.360 g

切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能,以及带有纠错功能的端到端数据保护功能,这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。

先进的电源管理能力,代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时,将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下,PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。

Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式,尺寸为 15mm x 15mm。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装,对于给定RDS(on)值,芯片尺寸缩小36%,具有更好的稳定性和效率。

钛金级是80 PLUS®规格中最严苛的,满载条件下要求达到>91%的效率(半载条件下>96%)。

对于2 kW及更高功率的服务器电源应用,使用传统硅器件来实现这种性能水平,电路设计复杂而具有挑战性。Nexperia新的功率GaN FET非常适合简洁的无桥图腾柱PFC电路,使用更少的器件,并能减少尺寸和系统成本。

制造商:Hirose Electric产品种类:汽车连接器RoHS: 产品:Housings附件类型:-位置数量:8 Position节距:2 mm型式:Plug (Male)安装风格:Cable Mount / Free Hanging端接类型:Crimp触点电镀:Tin系列:电流额定值:2 A电压额定值:250 VAC商标:Hirose Connector触点材料:Brass触点类型:Without Socket Contacts绝缘电阻:100 MOhms最大工作温度:+ 125 C最小工作温度:- 40 C产品类型:Automotive Connectors385子类别:Automotive Connectors单位重量:1.360 g

切换器配有错误处理、先进的错误报告等功能,以及带有纠错功能的端到端数据保护功能,这是可靠性、可用性与服务性 (RAS) 方面的关键功能。

先进的电源管理能力,代表这款切换器符合最严格的节能要求。在热插入埠未使用时,将维持在低功耗状态。在满载条件和 80°C 的接面温度下,PI7C9X3G808GP 的功耗仅为 2.9W。

Diodes Incorporated 的PI7C9X3G808GP采用 196 球 BGA 格式高效能覆晶封装方式,尺寸为 15mm x 15mm。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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