对于需要较小磁场范围的位置检测以及将噪声作为关键设计参数的精确位置测量，±5 mT 型号的灵敏度可达 0.15 μT/LSB 且典型 RMS 噪声低至 0.3 μT。

两种型号都支持单次测量和连续测量模式，极具设计灵活性。自检状态、数据就绪和磁传感器溢出指示可提供全方位的诊断。

器件性能可靠,适合UPS系统,再生能源逆变器并网接口,以及焊接设备等输入输出滤波。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 36 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 71 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: OptiMOS 3

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

正向跨导 - 最小值: 28 S

下降时间: 5 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 40 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

零件号别名: IPB9N6N3GXT SP000398042 IPB090N06N3GATMA1

单位重量: 4 g

NIRS485产品特性

高达3000Vrms的绝缘耐压

总线侧电源电压：3.0V至5.5V

VDD1电源电压：2.5V至5.5V

高CMTI(典型值)：±150kV/μs

较高的系统级EMC性能：总线引脚符合IEC61000-4-2±8kV ESD

浪涌耐压 >6kV

故障安全保护接收器

支持256个收发器

工作温度：-40℃~105℃

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）