新型支持130x140mm单通道IGBT大功率(IHM)模块的新款SCALE-2门极驱动器，可广泛用于轨道交通和其他长期应用。

轨道交通行业的客户需要坚固耐用的解决方案，而Power Integrations的SCALE-2技术可以提供极高的集成度和完善的保护功能，满足他们的需求。

外形紧凑的SCALE-2门极驱动器与较小的IHM单通道IGBT模块的尺寸相匹配，可以提供1200A至1400A的输出电流和3300V的IGBT耐压。

制造商: Analog Devices Inc.

产品种类: 射频放大器

RoHS: 详细信息

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: QFN-16

类型: Low Noise Amplifiers

技术: GaAs

工作频率: 3.1 GHz to 3.9 GHz

P1dB - 压缩点: 19 dBm

增益: 18 dB

工作电源电压: 5 V

NF—噪声系数: 1 dB

OIP3 - 三阶截点: 33 dBm

工作电源电流: 65 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 85 C

系列: HMC716

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

商标: Analog Devices

通道数量: 1 Channel

输入返回损失: 30 dB

Pd-功率耗散: 0.72 W

产品类型: RF Amplifier

工厂包装数量: 500

子类别: Wireless & RF Integrated Circuits

单位重量: 57.100 mg

V系列单层电容产品家族新成员——新型100nF容值电容器。

该100nF、高频、金丝键合装配单层电容完美匹配GaN及GaA放大器应用，其具备的小型尺寸和微波性能对此类应用至关重要。

我们很高兴新上市100nF单层电容将拓展我们的V系列产品家族，为我们的客户带来旁路性能和电路集成的提升产品凭借紧凑的尺寸，X7R的温度稳定性及金丝键合装配成为高性能电路不可或缺的一部分。

V 系列单层电容（包括新推出的100nF单层电容）的设计旨在以更小的尺寸提供更高的容值。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）