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2.075x2.075mm晶圆级芯片规模封装带有过压保护USB兼容输入稳压器

发布时间:2023/1/31 17:29:15 访问次数:50

电源管理IC (PMIC)产品“nPM1100”。nPM1100®在2.075 x 2.075mm晶圆级芯片规模封装 (WLCSP)中结合了一个带有过压保护的USB兼容输入稳压器.

得益于 PureCelPlus-S 堆叠管芯技术,OV02C 可在较小的尺寸中实现更高的功能。

400mA电池充电器和150mA DC/DC降压 (buck)稳压器。这款PMIC可以确保Nordic的nRF52®和nRF53®系列多协议系统级芯片(SoC)的可靠供电和稳定运作,并且最大限度地延长了应用电池的使用寿命。

这种下一代像素技术,还能够大幅改善色彩保真度、低感光度下的画质、以及 37.5 dB 的高信噪比。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFN-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:11 A Rds On-漏源导通电阻:11.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:16 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.8 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1 mm 长度:3 mm 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:3 mm 商标:Infineon / IR 正向跨导 - 最小值:16 S 下降时间:60 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:27 ns 工厂包装数量4000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:72 ns 典型接通延迟时间:11 ns 零件号别名:IRFHM9331TRPBF SP001556510 单位重量:122.136 mg

氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)技术,才可以实现1226 W / in3的高功率密度。

输入电压在48V至12V时的峰值效率为98%,在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97%。在最大负载和400 LFM气流下,最高稳态工作温度为88°C,最高结温为95°C。

EPC9149演示板可以在36 V至60 V的输入电压下工作,并输出高达83.3 A的负载电流。

eGaN FET和集成电路提高了48 V/12 V转换器的功率密度,并满足了数据中心对于小尺寸、更高功率的应用需求。Microchip数字控制器使得EPC9149演示板可灵活地进行编程和配置。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

电源管理IC (PMIC)产品“nPM1100”。nPM1100®在2.075 x 2.075mm晶圆级芯片规模封装 (WLCSP)中结合了一个带有过压保护的USB兼容输入稳压器.

得益于 PureCelPlus-S 堆叠管芯技术,OV02C 可在较小的尺寸中实现更高的功能。

400mA电池充电器和150mA DC/DC降压 (buck)稳压器。这款PMIC可以确保Nordic的nRF52®和nRF53®系列多协议系统级芯片(SoC)的可靠供电和稳定运作,并且最大限度地延长了应用电池的使用寿命。

这种下一代像素技术,还能够大幅改善色彩保真度、低感光度下的画质、以及 37.5 dB 的高信噪比。

制造商:Infineon 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PQFN-8 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:30 V Id-连续漏极电流:11 A Rds On-漏源导通电阻:11.7 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 25 V, + 25 V Vgs th-栅源极阈值电压:1.8 V Qg-栅极电荷:16 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:2.8 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1 mm 长度:3 mm 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:3 mm 商标:Infineon / IR 正向跨导 - 最小值:16 S 下降时间:60 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:27 ns 工厂包装数量4000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:72 ns 典型接通延迟时间:11 ns 零件号别名:IRFHM9331TRPBF SP001556510 单位重量:122.136 mg

氮化镓场效应晶体管(eGaNFET)技术,才可以实现1226 W / in3的高功率密度。

输入电压在48V至12V时的峰值效率为98%,在提供1 kW功率、12 V时的满载效率为97%。在最大负载和400 LFM气流下,最高稳态工作温度为88°C,最高结温为95°C。

EPC9149演示板可以在36 V至60 V的输入电压下工作,并输出高达83.3 A的负载电流。

eGaN FET和集成电路提高了48 V/12 V转换器的功率密度,并满足了数据中心对于小尺寸、更高功率的应用需求。Microchip数字控制器使得EPC9149演示板可灵活地进行编程和配置。

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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