ST8500 SoC在实现6LowPAN和IPv6通信协议，整合射频连接技术与原生G3-PLC协议栈的情况下，接收功耗不到100mW，确保超低功耗性能符合最新规范关于最大限度降低新智能电表给电网带来的负荷的规定。

芯片内置高性能DSP和ARM®Cortex®-M4F处理器内核，分别用于实时处理协议和上层应用及系统管理任务。DSP和ARM内核都有各自的片上代码和数据SRAM存储器，同时集成了128/256位AES加密引擎等外设，以满足智能电表应用的需求。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:IGBT 晶体管 RoHS: 详细信息 技术:Si 封装 / 箱体:DPAK-3 安装风格:SMD/SMT 配置:Single 集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V 集电极—射极饱和电压:1.55 V 栅极/发射极最大电压:20 V 在25 C的连续集电极电流:12 A Pd-功率耗散:88 W 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 175 C 系列:STGD6M65DF2 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 集电极最大连续电流 Ic:12 A 商标:STMicroelectronics 栅极—射极漏泄电流:+/- 250 uA 产品类型:IGBT Transistors 工厂包装数量:2500 子类别:IGBTs 单位重量:330 mg

16纳米技术S32G2能够将多台设备整合为一体,打造强大的片上系统（SoC）,减少处理器占用的空间。

采用16纳米技术S32R294雷达处理器为汽车制造商提供所需性能，进而为NCAP和先进的角雷达、长距离前向雷达和先进的多模式用例(例如同步盲点检测,变道辅助和俯仰角感测)提供可扩展的解决方案。

台积公司是恩智浦的长期合作伙伴，很感谢他们在这个供应短缺的非常时期给予我们的支持。

恩智浦16纳米FF产品组合的关键一步，并为我们未来采用台积公司5纳米工艺的高性能S32处理平台与统一软件基础架构铺平了道路。

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