电流传输比的稳定度提高50倍射频连续波输入功率高达100W
发布时间:2021/8/1 18:05:41 访问次数:248
MAX22530隔离式、可自供电的现场侧12位系统监测器，进一步扩展其MAXSafe™技术产品线。
MAX22530具有4个通道，提供隔离系统监测，通过将5个器件集成到单片IC，将精度高50倍、方案尺寸缩小40%。
自动化系统设计师不断寻求节省电路板空间、提高通道密度，并且能够改进电压和电流输入监测精度的途径，从而使操作人员能够更精细地监测系统，缩短系统停工时间。
这种组合使其电流传输比的稳定度提高50倍，可以获得超稳定的检流电阻的电压。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:3.3 A Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV Qg-栅极电荷:6.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.4 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.3 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:7 S 下降时间:22.2 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10.3 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:46.5 ns 典型接通延迟时间:12.5 ns 单位重量:8 mg
所有元件均符合EAR99，并满足海拔、振动、湿度和冲击的一系列环境条件。
新型GaN PIN二极管开关具有出色的热性能、功率容积比和高击穿电压，从而可以在小型和紧凑型封装中体现出最高水准的功率处理能力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
MAX22530隔离式、可自供电的现场侧12位系统监测器，进一步扩展其MAXSafe™技术产品线。
MAX22530具有4个通道，提供隔离系统监测，通过将5个器件集成到单片IC，将精度高50倍、方案尺寸缩小40%。
自动化系统设计师不断寻求节省电路板空间、提高通道密度，并且能够改进电压和电流输入监测精度的途径，从而使操作人员能够更精细地监测系统，缩短系统停工时间。
这种组合使其电流传输比的稳定度提高50倍，可以获得超稳定的检流电阻的电压。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-23-3 晶体管极性:P-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:20 V Id-连续漏极电流:3.3 A Rds On-漏源导通电阻:75 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 12 V, + 12 V Vgs th-栅源极阈值电压:400 mV Qg-栅极电荷:6.5 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:1.4 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1 mm 长度:2.9 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:1 P-Channel 宽度:1.3 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:7 S 下降时间:22.2 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10.3 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:46.5 ns 典型接通延迟时间:12.5 ns 单位重量:8 mg
所有元件均符合EAR99，并满足海拔、振动、湿度和冲击的一系列环境条件。
新型GaN PIN二极管开关具有出色的热性能、功率容积比和高击穿电压，从而可以在小型和紧凑型封装中体现出最高水准的功率处理能力。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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