MOSFET门极驱动器5kV的电隔离低于50nsec的快速开关速度
发布时间:2021/8/1 17:56:51 访问次数:622
Pasternack的新型大功率射频和微波PIN二极管开关采用的是GaN半导体技术。
在制造过程中采用GaN技术的芯片和线材能够确保电源性能优良以及出色的功率容积比，适用于宽带大功率应用。
由于该产品采用的是PIN二极管设计，因此还具有低于50 nsec的快速开关速度。
该PIN二极管开关具有出色的热性能和高击穿电压，能够在宽带、窄带射频和微波频率下承受较高的输入功率电平。
制造商:Vishay 产品种类:红外收发器 安装风格:SMD/SMT 波长:900 nm 数据传输速率:115.2 kb/s 传输距离:70 cm 辐射强度:65 mW/sr 半强度角度:24 deg 脉冲宽度:2.2 us 上升时间:300 ns 下降时间:300 ns If - 正向电流:300 mA 工作电源电压:2.4 V to 5.5 V 最小工作温度:- 30 C 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:8.5 mm x 2.5 mm x 3.1 mm 封装 / 箱体:Sidelooker 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 输入电流:10 mA 类型:Infrared Transceiver Module 商标:Vishay Semiconductors 湿度敏感性:Yes Pd-功率耗散:250 mW 产品类型:IR Transceivers 工厂包装数量750 子类别:Infrared Data Communications 单位重量:293.631 mg
NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。
该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。
MAXSafe产品组合了高度集成的隔离式、微功耗DC-DC转换器和通信线路，它们用于与控制侧电源相隔离的现场侧电路供电，同时简化信号监测应用的故障诊断。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
Pasternack的新型大功率射频和微波PIN二极管开关采用的是GaN半导体技术。
在制造过程中采用GaN技术的芯片和线材能够确保电源性能优良以及出色的功率容积比，适用于宽带大功率应用。
由于该产品采用的是PIN二极管设计，因此还具有低于50 nsec的快速开关速度。
该PIN二极管开关具有出色的热性能和高击穿电压，能够在宽带、窄带射频和微波频率下承受较高的输入功率电平。
制造商:Vishay 产品种类:红外收发器 安装风格:SMD/SMT 波长:900 nm 数据传输速率:115.2 kb/s 传输距离:70 cm 辐射强度:65 mW/sr 半强度角度:24 deg 脉冲宽度:2.2 us 上升时间:300 ns 下降时间:300 ns If - 正向电流:300 mA 工作电源电压:2.4 V to 5.5 V 最小工作温度:- 30 C 最大工作温度:+ 85 C 尺寸:8.5 mm x 2.5 mm x 3.1 mm 封装 / 箱体:Sidelooker 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 输入电流:10 mA 类型:Infrared Transceiver Module 商标:Vishay Semiconductors 湿度敏感性:Yes Pd-功率耗散:250 mW 产品类型:IR Transceivers 工厂包装数量750 子类别:Infrared Data Communications 单位重量:293.631 mg
NCD57252双通道隔离型IGBT/MOSFET门极驱动器提供5 kV的电隔离，可配置为双下桥、双上桥或半桥工作。NCD57252采用小型SOIC-16宽体封装，接受逻辑电平输入（3.3 V、5 V和15 V）。
该高电流器件（在米勒平台电压下，源电流4.0 A/灌电流6.0 A）适合高速工作，因为典型传播延迟为60 ns。
MAXSafe产品组合了高度集成的隔离式、微功耗DC-DC转换器和通信线路，它们用于与控制侧电源相隔离的现场侧电路供电，同时简化信号监测应用的故障诊断。
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