当主要的OEM向Littelfuse提出他们在安装拧紧过程中遇到的挑战时，我们立即致力于帮助他们找到解决方案。 新的60安培保险丝盒是用六角螺丝设计的系列产品的一部分，该应用需要精确且可重复以提高制造效率并生产高质量的产品。

10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。

共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220.

制造商:Infineon 产品种类:门驱动器 产品:IGBT, MOSFET Gate Drivers 类型:High Side, Low Side 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-8 激励器数量:1 Driver 输出端数量:1 Output 输出电流:200 mA 电源电压-最小:10 V 电源电压-最大:20 V 配置:High Side, Low Side 上升时间:80 ns 下降时间:40 ns 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 125 C 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1.5 mm 长度:5 mm 技术:Si 宽度:4 mm 商标:Infineon / IR 逻辑类型:CMOS, TTL 传播延迟—最大值:200 ns 最大关闭延迟时间:150 ns 最大开启延迟时间:150 ns 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:120 uA Pd-功率耗散:625 mW 产品类型:Gate Drivers 工厂包装数量2500 子类别:PMIC - Power Management ICs 零件号别名:IRS2127STRPBF SP001545622 单位重量:540 mg

新型保护元件的设计满足IEC 61000-4-2标准，其ESD接触放电电压可达24 kV，大幅领先于标准要求。

I/O接口的双向保护

ESD 保护性能满足 IEC 61000-4-2 标准要求

接触放电电压最高可达 24 kV

浪涌电流负载能力高达 8 A，满足IEC 61000-4-5 (8/20 μs) 标准要求

钳位电压：8 V

400 x 200 μm2 或 600 x 300 μm2的芯片级封装，占用空间极小

超低封装高度：仅100 μm