I/O接口的双向过压保护元件的产品组合钳位电压为7.2V
发布时间:2021/7/31 22:44:36 访问次数:448
超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V；当峰值脉冲电流为16 A时，端接电压为8 V。
制造商:Texas Instruments产品种类:低压差稳压器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DSBGA-4输出电压:2.85 V输出电流:250 mA输出端数量:1 Output极性:Positive静态电流:250 uA最大输入电压:5.5 V最小输入电压:2.2 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C回动电压:50 mV系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel工作温度范围:- 4产品:LDO Voltage Regulators容差:2 %类型:Ultra Low Noise Linear Regulator商标:Texas Instruments回动电压—最大值:200 mVPSRR/纹波抑制—典型值:82 dB线路调整率:0.02 %负载调节:0.001 %工作电源电流:12 uA产品类型:LDO Voltage Regulators3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:0.500 mg
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。
此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷的值（开关应用的品质因数）。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
新型TVS二极管的设计工作电压为5V，响应电压为6.8 V。
在不同的峰值脉冲电流条件下，两款新元件的端接电压也不相同：当峰值脉冲电流为8 A时，钳位电压为7.2 V；当峰值脉冲电流为16 A时，端接电压为8 V。
制造商:Texas Instruments产品种类:低压差稳压器RoHS: 安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:DSBGA-4输出电压:2.85 V输出电流:250 mA输出端数量:1 Output极性:Positive静态电流:250 uA最大输入电压:5.5 V最小输入电压:2.2 V输出类型:Fixed最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 125 C回动电压:50 mV系列:封装:Cut Tape封装:MouseReel封装:Reel工作温度范围:- 4产品:LDO Voltage Regulators容差:2 %类型:Ultra Low Noise Linear Regulator商标:Texas Instruments回动电压—最大值:200 mVPSRR/纹波抑制—典型值:82 dB线路调整率:0.02 %负载调节:0.001 %工作电源电流:12 uA产品类型:LDO Voltage Regulators3000子类别:PMIC - Power Management ICs单位重量:0.500 mg
新产品采用新一代具有低压沟槽结构的U-MOSⅩ-H工艺，具有业内领先的低漏源导通电阻。这减少了导通损耗，有助于降低设备的功耗。
此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷的值（开关应用的品质因数）。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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