超高集成度信号链系列SoC芯片-TCAS,该系列芯片具备超低功耗、高性能、高精度、高可靠性等优点。

TCAS系列芯片集成了32位ARM® Cortex®-M0高性能内核，最高工作频率可达48MHz，内置最高64KB FLASH和8KB SRAM。

其内部集成了24bit高精度Sigma-Delta ADC、14bit高速SAR ADC、最高1024倍增益放大的超低噪声PGA、VDAC、IDAC、TIA、运放等多种模拟前端外设，同时集成了多路UART、SPI、I2C等数字接口外设，支持多种硬件加密算法。

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 详细信息

技术: Si

封装 / 箱体: TO-263-3

安装风格: SMD/SMT

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.95 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 60 A

Pd-功率耗散: 187 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP IGBT

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量: 1000

子类别: IGBTs

商标名: TRENCHSTOP

零件号别名: IGB3N6TXT SP000095765 IGB30N60TATMA1

单位重量: 2 g

可持续提高机器和系统能效的各种连接器。Han®300A模块成为该系列的最新样板。通过以更轻的重量实现更大的容量，符合储能系统的传统研发目标。

如今的储能系统通常需要达到200A/800VDC的输出。而未来更高能量密度的应用则需要300A/1200VDC或更高的传输电压。Han®300A模块成为相应的适配接口。

Han®300A模块适用于连接新的储能单元，并可用于升级现有系统（与Han®200 A模块插接兼容）。配备防手指触碰的插针的Han®300A模块可以直接连接到母线或集成到储能抽屉中。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）