Raspberry Pi主机，以高达120 FPS的速度进行快速3D传感，从而能够对快速移动的物体进行高精度、低延迟的三维点云数据测量。在其他特定主机上亦可实现并支持更高的速度（即>600fps）。

DK-ILT001外形小巧轻便[44（宽）×24（深）×16（高）mm，重16g]，支持开发紧凑型3D传感系统。该系统可轻松附着于包括移动物体在内的许多设备上，并由价格不贵的Raspberry Pi设备进行托管。

DK-ILT001随附一个面向OpenCV、PCL、ROS和Unity，以及C++和Python的软件API。这简化了对具有更高水平3D性能的新应用的评估和开发。

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-7

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 800 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 286 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

系列: XPB180N04

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 9.25 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 58 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 24 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 67 ns

典型接通延迟时间: 53 ns

零件号别名: IPB180N04S4-00 SP000646176

单位重量: 1.600 g

100V射频氮化镓(GaN)/碳化硅(SiC)技术，此技术适用的应用领域非常广泛，包括雷达、航空电子、电子战、工业、科研和医疗系统。

在100V工作时，此项技术通过单个氮化镓晶体管即可实现3.6千瓦(kW)的输出功率，打破了射频功率的性能屏障。与更常见的50V/65V氮化镓技术相比，Integra的100V氮化镓技术使设计师能够大幅提高系统的功率水平和功能，同时还能采用更低功率的组合电路来简化系统架构。

客户最终可以受益于更小的系统占用空间和更低的系统成本。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）