导电性高分子混合铝电解电容器在电解质中采用了导电性高分子和电解液，从而同时具备了导电性高分子特长的低ESR性能和高耐热性能，以及用电解液修复氧化皮膜的性能，铝电解电容器和导电性高分子铝固体电解电容器的两种特长。

“GYE系列”通过采用大容量阳极箔和优化电解质材料，相比“GYE系列”实现了高一个级别的大容量,额定纹波电流值最高可达到现有产品的1.25倍。

英特尔8代 Board Element主板/Compute Element主机的Newton NE 与 Plato NE 机箱。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: PG-TO-263-7

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 180 A

Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 190 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

封装: Cut Tape

封装: Reel

晶体管类型: 1 P-Channel

商标: Infineon Technologies

下降时间: 81 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 31 ns

工厂包装数量: 1000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 72 ns

典型接通延迟时间: 48 ns

零件号别名: IPB180P04P4-03 SP002325764

单位重量: 1.600 g

新产品扩展了广受好评的R-Car Gen3系列SoC产品线，CPU性能提升至50k DMIPS和2GHz的速度，助力汽车制造商满足不断提升的用户体验、网络安全与功能安全等需求。

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(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）