R-Car Gen3系列SoC产品线导电性高分子和电解液
发布时间:2021/7/29 13:02:22 访问次数:768
导电性高分子混合铝电解电容器在电解质中采用了导电性高分子和电解液，从而同时具备了导电性高分子特长的低ESR性能和高耐热性能，以及用电解液修复氧化皮膜的性能，铝电解电容器和导电性高分子铝固体电解电容器的两种特长。
“GYE系列”通过采用大容量阳极箔和优化电解质材料，相比“GYE系列”实现了高一个级别的大容量,额定纹波电流值最高可达到现有产品的1.25倍。
英特尔8代 Board Element主板/Compute Element主机的Newton NE 与 Plato NE 机箱。
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TO-263-7
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 190 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 81 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
零件号别名: IPB180P04P4-03 SP002325764
单位重量: 1.600 g
R-Car Gen3e产品的“成功产品组合”解决方案，以缩短开发时间并降低材料清单（BOM）成本。客户可以将R-Car Gen3e产品与瑞萨的高精度时钟IC、电源管理产品相结合。
全新R-Car Gen3e和参考解决方案构建了无缝且经济高效的迁移路径，与现有的R-Car Gen3 SoC完全兼容并易于集成，使客户能够更便捷地将其汽车级应用推向市场。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
导电性高分子混合铝电解电容器在电解质中采用了导电性高分子和电解液，从而同时具备了导电性高分子特长的低ESR性能和高耐热性能，以及用电解液修复氧化皮膜的性能，铝电解电容器和导电性高分子铝固体电解电容器的两种特长。
“GYE系列”通过采用大容量阳极箔和优化电解质材料，相比“GYE系列”实现了高一个级别的大容量,额定纹波电流值最高可达到现有产品的1.25倍。
英特尔8代 Board Element主板/Compute Element主机的Newton NE 与 Plato NE 机箱。
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PG-TO-263-7
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 180 A
Rds On-漏源导通电阻: 2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V
Qg-栅极电荷: 190 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 150 W
通道模式: Enhancement
封装: Cut Tape
封装: Reel
晶体管类型: 1 P-Channel
商标: Infineon Technologies
下降时间: 81 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 31 ns
工厂包装数量: 1000
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 72 ns
典型接通延迟时间: 48 ns
零件号别名: IPB180P04P4-03 SP002325764
单位重量: 1.600 g
R-Car Gen3e产品的“成功产品组合”解决方案，以缩短开发时间并降低材料清单（BOM）成本。客户可以将R-Car Gen3e产品与瑞萨的高精度时钟IC、电源管理产品相结合。
全新R-Car Gen3e和参考解决方案构建了无缝且经济高效的迁移路径，与现有的R-Car Gen3 SoC完全兼容并易于集成，使客户能够更便捷地将其汽车级应用推向市场。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
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