Edge X支持超过15种传感设备协议—包括常见的 OPC-UA/Modbus/REST——并且已经在 20 多种异构设备上进行了测试。

智能系统还提供开放设备SDK，使用专有协议来简化设备集成，同时支持边缘数据预处理和分析，搭载预配置工具，可快速连接到Ali/AWS/Azure 云应用。 

解决方案具有软/硬件集成功能以及微服务架构，将开发时间缩短多达 60% ，从而提升了导入系统应用程序的效率和灵活性。

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V

Qg-栅极电荷: 131 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

商标: Infineon Technologies

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

零件号别名: IPC100N04S5-1R2 SP001262620

单位重量: 113.570 mg

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 详细信息

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 1.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V

Qg-栅极电荷: 131 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 150 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

封装: Cut Tape

封装: Reel

配置: Single

商标: Infineon Technologies

下降时间: 15 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 7 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 21 ns

典型接通延迟时间: 12 ns

零件号别名: IPC100N04S5-1R2 SP001262620

单位重量: 113.570 mg

本系统外形紧凑，性能强大（尺寸：156 x 112 x 60 mm）, 支持多种 I/O 端口，例如 2x GbE、2x COM、6x USB、8/16 GB DDR4 内存和 64 GB SATA超薄SSD.

在宽温工作（-10 ~ 50 °C）范围下具备出色的扩展能力和计算/图形性能,EI-52 还与研华WISE-DeviceOn 集成，支持远程设备监控/管理和可视化用户界面。 

结合即插即用型设计， IT 操作员利用这些功能可远程实时监控和管理 EI-52，从而缩短各种应用程序的部署时间。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）