高容量抗辐射（RadTol）NOR闪存产品，该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。

英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案，适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。

在更高时钟速率下使用时，器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存，同时显著减少引脚数。

制造商: Infineon

产品种类: IGBT 晶体管

技术: Si

封装 / 箱体: TO-220-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极最大电压 VCEO: 650 V

集电极—射极饱和电压: 1.65 V

栅极/发射极最大电压: 20 V

在25 C的连续集电极电流: 18 A

Pd-功率耗散: 70 W

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 175 C

系列: TRENCHSTOP 5 H5

封装: Tube

商标: Infineon Technologies

栅极—射极漏泄电流: 100 nA

产品类型: IGBT Transistors

工厂包装数量: 500

子类别: IGBTs

商标名: TRENCHSTOP

零件号别名: SP001001716 IKP08N65H5XKSA1

单位重量: 2.030 g

NanEyeM还拥有高达49fps（帧/秒）的帧率，可在各种标准接口上实现流畅、低延迟的显示，同时保持低功耗。图像传感器像素灵敏度高，这意味着需要较少的照明。

有助于控制设备尖端的发热。该模组配有一条适用电缆，可根据客户要求定制，长度可达3米。自身附带的电缆可确保其与内窥镜设备顺畅无缝的整合。可在尖端补充LED光源。

得益于数字LVDS串行接口，该摄像头具备高信噪比（SNR）。因此，它能够在不损失信号完整性或不增加噪声的情况下通过长距离的电缆传输图像。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）