高效率、高可靠性的1700V碳化硅MOSFET裸片、分立器件和电源模块。

Microchip的1700V碳化硅技术是硅IGBT的替代产品。由于硅IGBT的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在性能上做出妥协并使用复杂的拓扑结构。

此外，电力电子系统的尺寸和重量因变压器而变得臃肿，只有通过提高开关频率才能减小尺寸。

新推出的碳化硅系列产品使工程师能够舍弃IGBT，转而使用零件数量更少、效率更高、控制方案更简单的两级拓扑结构。

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 20 A

Rds On-漏源导通电阻: 7.9 mOhms, 7.9 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 28 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 54 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: OptiMOS

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

配置: Dual

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

系列: OptiMOS-T2

晶体管类型: 2 N-Channel

宽度: 5.15 mm

商标: Infineon Technologies

下降时间: 10 ns, 10 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 3 ns, 3 ns

工厂包装数量: 5000

子类别: MOSFETs

典型关闭延迟时间: 15 ns, 15 ns

典型接通延迟时间: 12 ns, 12 ns

零件号别名: IPG20N04S4-09 SP000705570

单位重量: 96.880 mg

器件的核心是一个高能效降压LED驱动器，支持高带宽模拟调光和低至零电流的PWM调光。

该驱动器含一个集成的3V3固定DC-DC转换器和一个进一步可调的DC-DC（2.5 至 24V），可用于为系统组件如感知和微控制器供电。

将这些电源方案集成到驱动器中，极大地简化了系统设计，同时提高能效。

NCL31000能够以 0.1% 的精度真正调暗，确保在最低调光设置下没有鬼光。它还集成一个 10 位模数转换器 (ADC) ，实现高度准确的诊断，从而进一步降低系统复杂性。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）