器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存
发布时间:2021/7/28 13:31:38 访问次数:534
高容量抗辐射（RadTol）NOR闪存产品，该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。
英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案，适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。
在更高时钟速率下使用时，器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存，同时显著减少引脚数。
客户联合测试了Stellar SR6 MCU的创新技术功能，这款足以改变游戏规则的MCU成功地通过了测试，现在已经实现了为计划投产的新路车项目提供第一批产品的阶段性目标。
这些 MCU 是未来智能网联汽车的关键赋能技术，将会让汽车变得更安全、更环保，为用户提供更满意的驾驶体验，同时汽车厂商及授权合作伙伴还可通过这款MCU的增值服务加强客户关系。
65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
高容量抗辐射（RadTol）NOR闪存产品，该产品通过了MIL-PRF-38535 QML-V流程认证。QML-V流程是航天级IC的最高质量和可靠性标准认证。
英飞凌的256 Mb和512 Mb RadTol NOR Flash非易失性存储器可带来出色的低引脚数单芯片解决方案，适用于FPGA配置、图像存储、微控制器数据和引导代码存储等应用场合。
在更高时钟速率下使用时，器件支持的数据传输可媲美或超越传统的并行异步NOR闪存，同时显著减少引脚数。
客户联合测试了Stellar SR6 MCU的创新技术功能，这款足以改变游戏规则的MCU成功地通过了测试，现在已经实现了为计划投产的新路车项目提供第一批产品的阶段性目标。
这些 MCU 是未来智能网联汽车的关键赋能技术，将会让汽车变得更安全、更环保，为用户提供更满意的驾驶体验，同时汽车厂商及授权合作伙伴还可通过这款MCU的增值服务加强客户关系。
65 nm浮栅闪存工艺技术开发出RadTol 256 Mb Quad SPI（QSPI）和512 Mb Dual Quad SPI NOR Flash。二者都具有133 MHz SDR接口速度。
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公网安备44030402000607
