通过Aston某些应用中的单位工艺吞吐量可以提升40%以上
发布时间:2021/7/25 22:46:06 访问次数:194
Aston专为半导体生产而设计,它作为一个强大的平台,可以取代多种传统工具,并在一系列全面应用中提供前所未有的控制水平,包括光刻、电介质和导电蚀刻及沉积、腔室清洁、腔室匹配和消解。
通过Aston某些应用中的单位工艺吞吐量可以提升40%以上,这是一个很大的改进。
在现有生产工艺工具上加装Aston,可在短短6到8周内实现更高产量,而安装新的生产设备则需要长达一年的时间。
整体产能提高1%,每年的产量也能增加价值数千万美元。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-363 配置:Quad Series 技术:Si If - 正向电流:200 mA Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:1 V Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA Ir - 反向电流 :2 uA 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1 mm 长度:2.2 mm 端接类型:SMD/SMT 类型:Quad Data Line Schottky Bus Terminator 宽度:1.35 mm 商标:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:2000 mW 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:6 mg
此项技术与单个封装的50V氮化镓晶体管相比,可以提供约为其两倍的功率,因此可以去除大量的合成器和相关的电子电路,从而缩小系统体积,减轻重量和降低成本,同时提高系统效率。
Integra的首款100V射频氮化镓产品是IGN1011S3600,专为航空电子应用而设计。
IGN1011S3600输出功率为3.6千瓦,增益19dB,效率70%,在业界领先。
IGN1011S3600基于Integra的100V射频氮化镓技术,对于需要改进尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的项目来说,是一款极具吸引力的解决方案。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)
Aston专为半导体生产而设计,它作为一个强大的平台,可以取代多种传统工具,并在一系列全面应用中提供前所未有的控制水平,包括光刻、电介质和导电蚀刻及沉积、腔室清洁、腔室匹配和消解。
通过Aston某些应用中的单位工艺吞吐量可以提升40%以上,这是一个很大的改进。
在现有生产工艺工具上加装Aston,可在短短6到8周内实现更高产量,而安装新的生产设备则需要长达一年的时间。
整体产能提高1%,每年的产量也能增加价值数千万美元。
制造商:Diodes Incorporated 产品种类:肖特基二极管与整流器 产品:Schottky Diodes 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-363 配置:Quad Series 技术:Si If - 正向电流:200 mA Vrrm - 重复反向电压:30 V Vf - 正向电压:1 V Ifsm - 正向浪涌电流:600 mA Ir - 反向电流 :2 uA 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 125 C 资格:AEC-Q101 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 高度:1 mm 长度:2.2 mm 端接类型:SMD/SMT 类型:Quad Data Line Schottky Bus Terminator 宽度:1.35 mm 商标:Diodes Incorporated Pd-功率耗散:2000 mW 产品类型:Schottky Diodes & Rectifiers 工厂包装数量3000 子类别:Diodes & Rectifiers 单位重量:6 mg
此项技术与单个封装的50V氮化镓晶体管相比,可以提供约为其两倍的功率,因此可以去除大量的合成器和相关的电子电路,从而缩小系统体积,减轻重量和降低成本,同时提高系统效率。
Integra的首款100V射频氮化镓产品是IGN1011S3600,专为航空电子应用而设计。
IGN1011S3600输出功率为3.6千瓦,增益19dB,效率70%,在业界领先。
IGN1011S3600基于Integra的100V射频氮化镓技术,对于需要改进尺寸、重量、功率和成本(SWAP-C)的项目来说,是一款极具吸引力的解决方案。
(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)