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数据传输速率提高和车载电子含量增加EMC保护需求

发布时间:2021/7/25 7:55:42 访问次数:185

一系列ESD保护器件,专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口,特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。

随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加,EMC保护的需求变得越来越重要,提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。

Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数(信号完整性、系统保护和鲁棒性),以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:10.3 A Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:27 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 长度:6.15 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:26 S 下降时间:12 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:25 ns 典型接通延迟时间:10 ns 零件号别名:SI7850DP-E3 单位重量:506.600 mg

采用6 mm × 12 mm CSP_BGA封装, ADAQ8088在高密度多路系统中最大限度降低了空间需求.工作电压2.7V到3.3V,工作温度−40C 到 +85C.

3V电源时的功耗为213mW,最大差分增益为30dB,可调整低至14dB,增益误差为±0.2 dB,增益漂移为0.01dB/度C.

主要用在IF宽带解调器,医疗图像,相阵列系统,雷达,自适应天线通信接收器,无线电链接,无线局部回路,RF仪表,卫星调制解调器,基带数据采集系统,多路数字化仪表以及超声波无损伤测试.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


一系列ESD保护器件,专门用于保护汽车应用中越来越多的高速接口,特别是与信息娱乐和车辆通讯相关的车载网络(IVN)。

随着数据传输速率的提高和车载电子含量的增加,EMC保护的需求变得越来越重要,提供正确的保护类型已成为设计工程师的巨大挑战。

Nexperia的TrEOS技术优化了ESD保护的三大关键参数(信号完整性、系统保护和鲁棒性),以提供具有低电容、低钳位电压和高ESD鲁棒性的理想组合的器件。

制造商:Vishay 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:PowerPAK-SO-8 晶体管极性:N-Channel 通道数量:1 Channel Vds-漏源极击穿电压:60 V Id-连续漏极电流:10.3 A Rds On-漏源导通电阻:22 mOhms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:1 V Qg-栅极电荷:27 nC 最小工作温度:- 55 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:4.5 W 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Single 高度:1.04 mm 长度:6.15 mm 晶体管类型:1 N-Channel 宽度:5.15 mm 商标:Vishay Semiconductors 正向跨导 - 最小值:26 S 下降时间:12 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:10 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:25 ns 典型接通延迟时间:10 ns 零件号别名:SI7850DP-E3 单位重量:506.600 mg

采用6 mm × 12 mm CSP_BGA封装, ADAQ8088在高密度多路系统中最大限度降低了空间需求.工作电压2.7V到3.3V,工作温度−40C 到 +85C.

3V电源时的功耗为213mW,最大差分增益为30dB,可调整低至14dB,增益误差为±0.2 dB,增益漂移为0.01dB/度C.

主要用在IF宽带解调器,医疗图像,相阵列系统,雷达,自适应天线通信接收器,无线电链接,无线局部回路,RF仪表,卫星调制解调器,基带数据采集系统,多路数字化仪表以及超声波无损伤测试.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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