内部基准电压16位24路SAR ADC高速模拟比较器
发布时间:2021/7/23 20:09:46 访问次数:328
EPC21603采用LVDS逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。
EPC21603集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。
LVDS逻辑控制允许通过FPGA来控制eToF激光驱动集成电路，用于必需具备抗噪声干扰能力的应用，例如增强现实。
MCU提供128KB SRAM用于数据处理和连接堆栈,超低动态和静态功耗和用于低功耗应用的智能外设.
先进的LPI2C和LPSPI支持异步DMA主数据转换,用于灵活和高性能接口的FlexIO,具有AES/DES/3DES/MD5/SHA和TRNG的加密加速度,不需要外接晶体的USB FS 2.0器件操作.
处理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高达72MHz,高速模式高达96MHz.
器件模拟模块包括有内部基准电压的16位24路SAR ADC,两个高速模拟比较器,每个包含6位DAC和可编程基准输入,一个12位DAC和1.2V与2.1V基准电压(Vref).
EPC21603采用LVDS逻辑电路来控制，能够在超过100 MHz的超高频率和低于2 ns的超短脉冲下，调制并实现高达10 A的激光驱动电流。
EPC21603集成了基于EPC专有的氮化镓IC技术的单芯片驱动器和氮化镓场效应晶体管（eGaN®FET），采用芯片级BGA封装，其外形尺寸仅为1.5 mm x 1.0 mm。
LVDS逻辑控制允许通过FPGA来控制eToF激光驱动集成电路，用于必需具备抗噪声干扰能力的应用，例如增强现实。
MCU提供128KB SRAM用于数据处理和连接堆栈,超低动态和静态功耗和用于低功耗应用的智能外设.
先进的LPI2C和LPSPI支持异步DMA主数据转换,用于灵活和高性能接口的FlexIO,具有AES/DES/3DES/MD5/SHA和TRNG的加密加速度,不需要外接晶体的USB FS 2.0器件操作.
处理器的核ArmR CortexR-M0+正常模式工作高达72MHz,高速模式高达96MHz.
器件模拟模块包括有内部基准电压的16位24路SAR ADC,两个高速模拟比较器,每个包含6位DAC和可编程基准输入,一个12位DAC和1.2V与2.1V基准电压(Vref).
相关技术资料- 4-29模块数量更少的电平电路取代传统三电平电路有助于设备的小型化
- 4-29GFSK/FSK调制支持可编程频率通道和输出功率和1Mbps和2Mbps通信速率
- 4-29无需修改设备设置支持在VSR规范之外的长/短PCB信道上无缝互通
- 4-29数字元素设计理念开发而成品牌可以更大程度地发挥模拟电路性能
- 4-29BPP及EPP设计提供最高达15W输出功率满足各类无线充电发射器使用
- 4-29焊盘图案兼容旧款WE-SPC和WE-TPC电感提供最大程度的设计灵活性
- 4-29Topaz5D在非常多样化运行条件下使用包括室内照明或直射阳光
- 4-29生物和环境传感器精确测量化学电流以超低系统功耗和宽电源电压范围运行
- 4-29小型封装中内置发射元件和光扩散材料有助于实现更小更薄应用产品
- 4-28高端电流采样设置LED平均电流通过DIM引脚接受模拟调光和很宽范围PWM调光
- 4-28内置功率MOS管高效率高精度的开关降压型大功率LED恒流驱动芯片
- 4-28经过工厂校准器件专为测量0.1至1.5bar范围的压力量程而设计
公网安备44030402000607
