第二代非易失性静态RAM（nvSRAM）。新一代器件已通过QML-Q和高可靠性工业规格的认证，支持苛刻环境下的非易失性代码存储和数据记录应用，包括航天和工业应用。

256 Kb STK14C88C和1 Mb STK14CA8C nvSRAM采用32引脚300mil双列直插式陶瓷封装，符合MIL-PRF-38535 QML-Q规格（-55°C至125°C）和英飞凌的工业标准（-40 °C至85°C）。

5 V和3 V版本均支持用于航天、通信和导航系统以及工业高炉和铁路控制系统的引导代码、数据记录和校准数据存储。英飞凌还提供晶圆销售，以支持封装系统。

制造商:Intel产品种类:CPLD - 复杂可编程逻辑器件RoHS: 详细信息产品:MAX 7000大电池数量:128逻辑数组块数量——LAB:8最大工作频率:147.1 MHz传播延迟—最大值:6 ns输入/输出端数量:84 I/O工作电源电压:3.3 V最小工作温度:- 40 C最大工作温度:+ 85 C安装风格:SMD/SMT封装 / 箱体:FBGA-100封装:Tray存储类型:EEPROM系列:EPM7128S商标:Intel / Altera栅极数量:2500湿度敏感性:Yes产品类型:CPLD - Complex Programmable Logic Devices工厂包装数量:66子类别:Programmable Logic ICs电源电压-最大:3.6 V电源电压-最小:3 V商标名:MAX 7000零件号别名:970440单位重量:2 g

以恒流(CC)向电池充电,吸收恒压(CV)状态,在检测到满充电流阈值进入浮动CV状态或在吸收CV状态时进入吸收CV定时器暂停.

深度放电电池的检测和预处理由深度放电检测比较器进行赋能.MAX17702采用24引脚4mmx4mmTQFN封装.

主要用在工业电池充电和能量存储,电动工具,照明,安全照相机和控制屏的电池备份,手持工业设备,建筑物和家庭自动化备份电源.

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