在服务器系统等领域，由于IoT设备的需求日益增长，功率转换效率的提升和设备的小型化已经成为重要的社会课题之一，而这就要求功率元器件的进一步发展与进步。

ROHM一直在大力推动业内先进的SiC元器件和各种具有优势的硅元器件的开发与量产，以及在中等耐压范围具有出色的高频工作性能的GaN器件的开发。

ROHM就现有GaN器件长期存在的课题开发出可以提高栅极-源极间额定电压的技术，能够为各种应用提供更广泛的电源解决方案。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 马达/运动/点火控制器和驱动器

RoHS: 详细信息

产品: Fan / Motor Controllers / Drivers

类型: Half Bridge

工作电源电压: 4.5 V to 33 V

输出电流: 2.5 A

工作电源电流: 5 mA

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: VQFN-24

封装: Cut Tape

封装: Reel

输出端数量: 4 Output

工作频率: 360 kHz

系列: DRV8935

商标: Texas Instruments

负载电压额定值: 4.5 V to 33 V

开发套件: DRV8935PEVM

湿度敏感性: Yes

产品类型: Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers

工厂包装数量: 3000

子类别: PMIC - Power Management ICs

高达90%的效率水平可最大限度地减少不必要的热量产生，并在一个仅为2.28英寸x 2.40英寸x 0.67英寸（57.9毫米x 61.0毫米x 17.0毫米）的工业标准半砖封装内实现20W/in3的出色功率密度。

与硅器件相比，GaN器件具有更低的导通电阻值和更优异的高速开关性能，因而在基站和数据中心等领域作为有助于降低各种开关电源的功耗并实现小型化的器件被寄予厚望。

GaN器件的栅极-源极间额定电压较低，在开关工作期间可能会发生超过额定值的过冲电压，所以在产品可靠性方面一直存在很大的问题。

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）