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片内高速互联总线NSI和丰富应用接口频率特性

发布时间:2021/7/21 13:31:13 访问次数:633

D1处理器是全球首颗量产的搭载平头哥玄铁906 RISC-V的应用处理器,为万物互联AIoT时代提供了新的智能关键芯片。

D1芯片与平头哥玄铁906密切合作,在高清视频处理及系统架构方面的深度积累,集成自研的片内高速互联总线NSI和丰富应用接口,能够提供高性能的异构多核心计算处理和出色的图形加速能力。

其强劲的产品表现力从底层性能和规格设计上高度契合AIoT时代海量的场景需求,可广泛应用于智慧城市、智能汽车、智能商显、智能家电、智能办公等多个领域市场。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F105VC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-100 核心:ARM Cortex M3 程序存储器大小:256 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:72 MHz 输入/输出端数量:80 I/O 数据 RAM 大小:64 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:1.4 mm 长度:14 mm 程序存储器类型:Flash 宽度:14 mm 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:CAN, I2C, SPI, USART 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:16 Channel 计时器/计数器数量:10 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:540 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 商标名:STM32 单位重量:1.319 g

频率信息能从DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得两个基准(组合模式)的频率特性得以组合. 

8V19N850可通过引脚映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4线SPI接口进行配置.设备时钟域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而数字时钟域(以太网和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.

核电源为3.3V,输出电压为3.3V,2.5V和1.8V.采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封装,工作温度-40C 到 +105C.主要用于无线基础设备5G无线电.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


D1处理器是全球首颗量产的搭载平头哥玄铁906 RISC-V的应用处理器,为万物互联AIoT时代提供了新的智能关键芯片。

D1芯片与平头哥玄铁906密切合作,在高清视频处理及系统架构方面的深度积累,集成自研的片内高速互联总线NSI和丰富应用接口,能够提供高性能的异构多核心计算处理和出色的图形加速能力。

其强劲的产品表现力从底层性能和规格设计上高度契合AIoT时代海量的场景需求,可广泛应用于智慧城市、智能汽车、智能商显、智能家电、智能办公等多个领域市场。

制造商:STMicroelectronics 产品种类:ARM微控制器 - MCU RoHS: 详细信息 系列:STM32F105VC 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:LQFP-100 核心:ARM Cortex M3 程序存储器大小:256 kB 数据总线宽度:32 bit ADC分辨率:12 bit 最大时钟频率:72 MHz 输入/输出端数量:80 I/O 数据 RAM 大小:64 kB 工作电源电压:2 V to 3.6 V 最小工作温度:- 40 C 最大工作温度:+ 85 C 封装:Tray 高度:1.4 mm 长度:14 mm 程序存储器类型:Flash 宽度:14 mm 商标:STMicroelectronics 数据 Ram 类型:SRAM 接口类型:CAN, I2C, SPI, USART 湿度敏感性:Yes ADC通道数量:16 Channel 计时器/计数器数量:10 Timer 处理器系列:ARM Cortex M 产品类型:ARM Microcontrollers - MCU 工厂包装数量:540 子类别:Microcontrollers - MCU 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2 V 商标名:STM32 单位重量:1.319 g

频率信息能从DPLL-0 到DPLL-1,反之亦然,使得两个基准(组合模式)的频率特性得以组合. 

8V19N850可通过引脚映射I3CSM(包括以前的I2C)和3/4线SPI接口进行配置.设备时钟域(RF-PLL)支持JESD204B/C,而数字时钟域(以太网和FEC速率)支持eEEC和T-BC/T-TSC Class C.

核电源为3.3V,输出电压为3.3V,2.5V和1.8V.采用10 × 10 mm 88-VFQFPN封装,工作温度-40C 到 +105C.主要用于无线基础设备5G无线电.

(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)


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