每个PMIC包含3个集成了功率FET的DC/DC降压转换器和2个低压差稳压器 (LDO)。

所有这些元件均可通过I2C接口轻松配置。ACT88329和ACT88321是首批采用这种配置的集成式PMIC，能支持 LPDDR5等低输出应用中低至0.5V的输出电压。

开发的配套ACT88329EVK1-101和ACT88321EVK1-101评估套件。

这些评估板可以独立运作，但当通过USB至I2C转接卡连接到PC时，则可以完全访问目标PMIC的内部寄存器和运算功能。

类别分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 单个制造商Vishay Siliconix系列TrenchFET®包装卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel®零件状态在售FET 类型P 通道技术MOSFET（金属氧化物）25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)8.9A（Tc）驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）6V，10V不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）295 毫欧 @ 4A，10V不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）4V @ 250μAVgs（最大值）±20VFET 功能-功率耗散（最大值）3.7W（Ta），52W（Tc）工作温度-50°C ~ 150°C（TJ）安装类型表面贴装型供应商器件封装PowerPAK® 1212-8封装/外壳PowerPAK® 1212-8漏源电压（Vdss）150 V不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）42 nC @ 10 V不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）1190 pF @ 50 V基本产品编号SI7115

Si828x系列隔离栅极驱动器采用Silicon Labs公司的专有的硅隔离技术,支持耐受电压高达5.0 kVrmper UL1577.这种技术具有高性能的随温度和老化的性能变差会减少,部件间一致性更好,和其它隔离栅极驱动器相比有更好的共模抑制比.

主要用在工业应用如SiC/IGBT/ MOSFET栅极驱动,工业和再生能源逆变器,AC,无刷和DC马达控制,变速马达控制器,隔离开关电源,以及汽车应用如混合动力和电动汽车,动力逆变器,车载充电器,感应充电器和DC/DC转换器.

(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）