超低功耗BLE稳定性和效率Wi-Fi和GreenPAK™产品
发布时间:2021/7/19 8:53:34 访问次数:655
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。
AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。
此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统（电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低，并实现最佳能源效率。
制造商:Texas Instruments 产品种类:电池管理 RoHS: 详细信息 产品:Battery Protection 电池类型:Li-Ion 输出电压:4.7 V 输出电流:20 mA 工作电源电压:12 V to 79.2 V 封装 / 箱体:TQFP-80 安装风格:SMD/SMT 资格:AEC-Q100 系列:BQ76PL455A-Q1 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Texas Instruments 开发套件:BQ76PL455EVM 最大工作温度:+ 105 C 最小工作温度:- 40 C 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:5 mA 产品类型:Battery Management 工厂包装数量:1000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:345.100 mg
SPI NOR Flash系列产品实现的突破性低能耗和高性能，印证了Dialog致力于提升IoT设备性能同时降低功耗和成本的承诺。该具备业内最低能耗的Flash器件系列进一步丰富了Dialog已有卓越的超低功耗BLE、Wi-Fi和GreenPAK™等产品组合。
该系列产品提供业内领先的低功耗高速读取操作，并且仅以微小的功耗实现显著更快的擦除时间。
例如，2Mbit AT25EU0021A可在10ms以内执行整颗芯片的擦除，而消耗的电能低于竞争方案所需的1%。竞争方案可能需要整整1秒或更长的时间来执行相同的操作。
(素材来源：eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢）
全新650V H2功率GaN FET采用TO-247封装，对于给定RDS(on)值，芯片尺寸缩小36%，具有更好的稳定性和效率。级联配置无需复杂的驱动电路，加快了产品上市速度。
AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM），以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。
此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统（电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低，并实现最佳能源效率。
制造商:Texas Instruments 产品种类:电池管理 RoHS: 详细信息 产品:Battery Protection 电池类型:Li-Ion 输出电压:4.7 V 输出电流:20 mA 工作电源电压:12 V to 79.2 V 封装 / 箱体:TQFP-80 安装风格:SMD/SMT 资格:AEC-Q100 系列:BQ76PL455A-Q1 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 商标:Texas Instruments 开发套件:BQ76PL455EVM 最大工作温度:+ 105 C 最小工作温度:- 40 C 湿度敏感性:Yes 工作电源电流:5 mA 产品类型:Battery Management 工厂包装数量:1000 子类别:PMIC - Power Management ICs 单位重量:345.100 mg
SPI NOR Flash系列产品实现的突破性低能耗和高性能，印证了Dialog致力于提升IoT设备性能同时降低功耗和成本的承诺。该具备业内最低能耗的Flash器件系列进一步丰富了Dialog已有卓越的超低功耗BLE、Wi-Fi和GreenPAK™等产品组合。
该系列产品提供业内领先的低功耗高速读取操作，并且仅以微小的功耗实现显著更快的擦除时间。
例如，2Mbit AT25EU0021A可在10ms以内执行整颗芯片的擦除，而消耗的电能低于竞争方案所需的1%。竞争方案可能需要整整1秒或更长的时间来执行相同的操作。
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公网安备44030402000607
