低栅极开关电荷扩展I/O接口双向过压保护元件产品组合
发布时间:2021/7/18 19:55:51 访问次数:323
10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。
共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
在128MHz设置下,实现高达514CoreMark；以64MHz频率运行则可实现73 CoreMarks/mA的高效能耗。
新型胶棒天线配件适用于升级许多接入点、路由器和其他通信设备上的常见胶棒天线。这些天线物美价廉，几乎可以满足任何预算要求。
超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
10款适用于工业设备开关电源的新一代80 V N沟道功率MOSFET“U-MOSⅩ-H系列”产品。
共提供三种类型的封装： “TK2R4E08QM、TK3R3E08QM、 TK5R3E08QM 和 TK7R0E08QM” 采用双列直插式封装TO-220； “TK2R4A08QM、 TK3R2A08QM、 TK5R1A08QM 和 TK6R8A08QM” 采用绝缘型直插式封装TO-220SIS；以及“TK5R1P08QM 和 TK6R9P08QM”采用贴片式封装DPAK。
此外，它们继承了现有工艺U-MOSVIII-H的低栅极开关电荷特性。这降低了漏源导通电阻x栅极开关电荷[2]的值（开关应用的品质因数）。
在128MHz设置下,实现高达514CoreMark；以64MHz频率运行则可实现73 CoreMarks/mA的高效能耗。
新型胶棒天线配件适用于升级许多接入点、路由器和其他通信设备上的常见胶棒天线。这些天线物美价廉，几乎可以满足任何预算要求。
超小型的高功率TVS（瞬态抑制）二极管，进一步扩展了I/O接口的双向过压保护元件的产品组合。
新元件采用芯片级封装，尺寸仅为400 x 200μm2(CSP01005) 或 600 x 300μm2(CSP0201), 封装高度也极低，仅为100μm。
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