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ISL73033SLHM低侧驱动器和100V GaN FET载波调制256QAM

发布时间:2021/7/17 7:32:43 访问次数:175

在MWC21现场的演示中,仪器模拟了一个独立的5G蜂窝网络,该网络在NR双连接(NR-DC)中具有8个下行链路载波聚合,在FR1中使用1xCC,在FR2中使用7xCC,载波调制方式为256QAM。

测试中使用两个拉远射频头,将信号上变频至5G FR2频率。

这一端到端测试在定义明确的网络环境中,评估从内置的模拟服务器和基站到被测设备的数据吞吐速度。R&S CMX500配有现成的服务器,用于测试网页、FTP、DNS或IMS服务,设置十分便捷。

在该场景下,R&S CMX500支持FTP的上传和下载流量测试。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 模数转换器 - ADC

RoHS: 详细信息

系列: ADS7955-Q1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-30

分辨率: 10 bit

通道数量: 8 Channel

接口类型: SPI

采样比: 1 MS/s

输入类型: Single-Ended

结构: SAR

模拟电源电压: 2.7 V to 5.25 V

数字电源电压: 1.7 V to 5.25 V

SNR – 信噪比: 60 dB

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

资格: AEC-Q100

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

转换器数量: 1 Converter

功耗: 11.5 mW

商标: Texas Instruments

参考类型: External

INL - 积分非线性: 0.048 % FSR

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 2.7 V to 5.25 V

Pd-功率耗散: 14.5 mW

产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 60 dB

工厂包装数量: 2000

子类别: Data Converter ICs

单位重量: 97.500 mg

ISL73033SLHM 低侧驱动器和 100V GaN FET 的主要特性:

将世界一流的 GaN FET 驱动器和 GaN FET 结合在一个封装中,以简化栅极设计并提高效率.

与 SMD 0.5 抗辐射 MOSFET 相比,面积减小了 20%

V DS = 100V&I DS = 30A与7.5mΩ(典型值)R DSON

超低总栅极电荷:14nC(典型值)

集成驱动器具有 4.5V 稳压栅极驱动电压和 3A/2.8A 灌电流/拉电流能力


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

在MWC21现场的演示中,仪器模拟了一个独立的5G蜂窝网络,该网络在NR双连接(NR-DC)中具有8个下行链路载波聚合,在FR1中使用1xCC,在FR2中使用7xCC,载波调制方式为256QAM。

测试中使用两个拉远射频头,将信号上变频至5G FR2频率。

这一端到端测试在定义明确的网络环境中,评估从内置的模拟服务器和基站到被测设备的数据吞吐速度。R&S CMX500配有现成的服务器,用于测试网页、FTP、DNS或IMS服务,设置十分便捷。

在该场景下,R&S CMX500支持FTP的上传和下载流量测试。

制造商: Texas Instruments

产品种类: 模数转换器 - ADC

RoHS: 详细信息

系列: ADS7955-Q1

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TSSOP-30

分辨率: 10 bit

通道数量: 8 Channel

接口类型: SPI

采样比: 1 MS/s

输入类型: Single-Ended

结构: SAR

模拟电源电压: 2.7 V to 5.25 V

数字电源电压: 1.7 V to 5.25 V

SNR – 信噪比: 60 dB

最小工作温度: - 40 C

最大工作温度: + 125 C

资格: AEC-Q100

封装: Cut Tape

封装: MouseReel

封装: Reel

转换器数量: 1 Converter

功耗: 11.5 mW

商标: Texas Instruments

参考类型: External

INL - 积分非线性: 0.048 % FSR

湿度敏感性: Yes

工作电源电压: 2.7 V to 5.25 V

Pd-功率耗散: 14.5 mW

产品类型: ADCs - Analog to Digital Converters

SINAD - 信噪和失真率: 60 dB

工厂包装数量: 2000

子类别: Data Converter ICs

单位重量: 97.500 mg

ISL73033SLHM 低侧驱动器和 100V GaN FET 的主要特性:

将世界一流的 GaN FET 驱动器和 GaN FET 结合在一个封装中,以简化栅极设计并提高效率.

与 SMD 0.5 抗辐射 MOSFET 相比,面积减小了 20%

V DS = 100V&I DS = 30A与7.5mΩ(典型值)R DSON

超低总栅极电荷:14nC(典型值)

集成驱动器具有 4.5V 稳压栅极驱动电压和 3A/2.8A 灌电流/拉电流能力


(素材来源:eccn和ttic.如涉版权请联系删除。特别感谢)

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