场效应管MOSFET是开关电源中核心的器件之一，MOSFET因导通内阻低、开关速度快等优点被广泛应用于开关电源的各种拓扑架构中，也是影响电源可靠性的重要器件。

PFC电感L1上都并联着1个二极管D1，该二极管D1一方面降低对PFC电感和升压二极管的浪涌冲击，另一方面保护PFC开关管。

通过对PFC MOS管进行测试和深入分析发现，MOS管的寄生参数对振荡起着关键作用。通过电路实验模拟和仿真，证实了这一现象产生的根本原因为PFC MOS管的等效电路。

制造商:Diodes Incorporated 产品种类:MOSFET 技术:Si 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOT-363-6 晶体管极性:N-Channel 通道数量:2 Channel Vds-漏源极击穿电压:50 V Id-连续漏极电流:305 mA Rds On-漏源导通电阻:2 Ohms Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V Vgs th-栅源极阈值电压:490 mV Qg-栅极电荷:400 pC 最小工作温度:- 65 C 最大工作温度:+ 150 C Pd-功率耗散:250 mW 通道模式:Enhancement 封装:Cut Tape 封装:MouseReel 封装:Reel 配置:Dual 高度:1 mm 长度:2.2 mm 产品:MOSFET Small Signal 晶体管类型:2 N-Channel 宽度:1.35 mm 商标:Diodes Incorporated 正向跨导 - 最小值:200 mS 下降时间:8.4 ns 产品类型:MOSFET 上升时间:1.8 ns 工厂包装数量3000 子类别:MOSFETs 典型关闭延迟时间:14.4 ns 典型接通延迟时间:2.1 ns 单位重量:7.500 mg

第二代近红外感度NIR+技术将产品850nm/940nm下的QE再次拔尖至新高度.

此外兼具动态行交叠HDR与PixGain HDR®两种HDR模式，使SC850SL拥有更出色的高动态范围表现，从而让智能影像覆盖到全时段及更多的应用场景。

4K超星光级夜视全彩高端产品，SC850SL以Stack+RS架构辅以思特威创新工艺、第二代近红外感度NIR+技术等诸多前沿技术加持，使其得以适用于更开阔的应用场景并在夜间提供尤为出色的4K超星光级夜视全彩影像。

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